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電子元件范文第1篇

[實(shí)驗(yàn)?zāi)康腯

1.學(xué)習(xí)常用電磁學(xué)儀器儀表的正確使用及簡(jiǎn)單電路的聯(lián)接。

2.掌握用伏安法測(cè)量電阻的基本方法及其誤差的分析。

3.測(cè)定線(xiàn)性電阻和非線(xiàn)性電阻的伏安特性。

[實(shí)驗(yàn)原理]

測(cè)量電阻的方法有多種，伏安法是常用的基本方法之一。所謂伏安法，就是運(yùn)用歐姆定律，測(cè)出電阻兩端的電壓和其上通過(guò)的電流，根據(jù)即可求得阻值R。也可運(yùn)用作圖法，做出伏安特性曲線(xiàn)，從曲線(xiàn)上求得電阻的阻值。對(duì)有些電阻，其伏安特性曲線(xiàn)為直線(xiàn)，稱(chēng)為線(xiàn)性電阻，如常用的碳膜電阻、線(xiàn)繞電阻、金屬膜電阻等。另外，有些元件，伏安特性曲線(xiàn)為曲線(xiàn)，稱(chēng)為非線(xiàn)性電阻元件，如燈泡、晶體二極管、穩(wěn)壓管、熱敏電阻等。非線(xiàn)性電阻元件的阻值是不確定的，只有通過(guò)作圖法才能反映它的特性。

用伏安法測(cè)電阻，原理簡(jiǎn)單，測(cè)量方便，但由于電表內(nèi)阻接入的影響，給測(cè)量帶來(lái)一定系統(tǒng)誤差，如圖1和圖2，分別為電流表內(nèi)接和電流表外接兩種電路。在電流表內(nèi)接法中，由于電壓表測(cè)出的電壓值V包括了電流表兩端的電壓，因此，測(cè)量值要大于被測(cè)電阻的實(shí)際值。由

可見(jiàn)，由于電流表內(nèi)阻不可忽略，故產(chǎn)生一定誤差。

在電流表外接法中，由于電流表測(cè)出的電流I包括了流過(guò)電壓表的電流，因此，測(cè)量值要小于實(shí)際值。由可見(jiàn)，由于電壓表內(nèi)阻不是無(wú)窮大，故給測(cè)量帶來(lái)一定的誤差。

上述兩種聯(lián)接電路的方法，都給測(cè)量帶來(lái)一定的系統(tǒng)誤差，即測(cè)量方法誤差。為此，必須對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行修正。其修正值為ΔRx=Rx-R，其中R為測(cè)量值，Rx為實(shí)際值。

為了減小上述誤差，必須根據(jù)待測(cè)阻值的大小和電表內(nèi)阻的不同，正確選擇測(cè)量電路。當(dāng)Rx>>RmA且RxRmA且Rx

一般安培表內(nèi)阻在0.1 W以下，毫安表為幾歐姆至一、二百歐姆，微安表為幾百歐姆至一、二千歐姆。

對(duì)同一塊電壓表，各量程的電阻與相應(yīng)量程之比為一常量，定義為電壓表的每伏歐姆數(shù)，常在電壓表標(biāo)度盤(pán)上標(biāo)明，單位為W/V。因而，RV =每伏歐姆數(shù)?量程。

經(jīng)過(guò)以上處理，可以減小和消除由于電表接入帶來(lái)的系統(tǒng)誤差，但電表本身的儀器誤差仍然存在，它決定于電表的準(zhǔn)確度等級(jí)和量程，其相對(duì)誤差為，式中DI和DV為電流表和電壓表允許的最大示值誤差。

以上的內(nèi)容書(shū)上都有，我就不解釋了。下面重點(diǎn)說(shuō)一下非線(xiàn)性的電子元件的伏安特性曲線(xiàn)的繪制：

首先要想繪制非線(xiàn)性的電子元件的伏案特性曲線(xiàn)就必須要了解各非線(xiàn)性元件的特性，才能選擇正確的實(shí)驗(yàn)方法，適合的監(jiān)測(cè)電路，得出正確的實(shí)驗(yàn)結(jié)論。常用的非線(xiàn)性元件有：檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管和光電二極管等。

1.檢波和整流二極管

檢波二極管和整流二極管都具有單向?qū)щ娮饔茫麄兊牟顒e在于允許通過(guò)電流的大小和使用頻率范圍的高低。

2.穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)是反向擊穿具有可逆性，反向擊穿后，穩(wěn)壓二極管兩端的電壓保持恒定，這個(gè)電壓叫穩(wěn)壓二極管的工作電壓。

3.發(fā)光二極管

發(fā)光二極管是由半導(dǎo)體發(fā)光材料制成的，與材料的禁帶寬度所對(duì)應(yīng)的電壓叫發(fā)光二極管的開(kāi)啟電壓。當(dāng)加在發(fā)光二極管兩端的電壓小于開(kāi)啟電壓時(shí)，發(fā)光二極管不會(huì)發(fā)光，其中也沒(méi)有電流流過(guò)。電壓一旦超過(guò)開(kāi)啟電壓，電流急劇上升，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)并發(fā)光，此時(shí)電流與電壓呈線(xiàn)性關(guān)系，直線(xiàn)與電壓坐標(biāo)的交點(diǎn)可以認(rèn)為是開(kāi)啟電壓。

4.光電二極管

光電二極管除了具有一般二極管的特性外，它的PN結(jié)裝在管子的頂部，可以直接接收光照。無(wú)光照時(shí)，光電二極管的伏安特性與普通二極管相似；在光照下，構(gòu)成光電二極管的PN結(jié)能產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，稱(chēng)為光生伏特效應(yīng)。與普通二極管不同，光電二極管通常工作在反向偏置電壓狀態(tài)或無(wú)偏壓狀態(tài)。它的伏安特性可用下式表示

（ 2 ）

其中I0是無(wú)光照的反向飽和電流，U是二極管的端電壓，e為電子電荷，KB為波爾茲曼常數(shù)，T是絕對(duì)溫度，n是理想系數(shù)，IL是無(wú)偏壓狀態(tài)下光照時(shí)的短路電流，它與光照時(shí)的光功率成正比。其伏安特性曲線(xiàn)如圖三所示，E0～E5表示不同入射光光強(qiáng)。由此可知，光電二極管的伏安特性曲線(xiàn)由二個(gè)部分組成：

（1）反偏工作狀態(tài)，光電流與偏壓、負(fù)載電阻幾乎無(wú)關(guān)（在很大的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)）；

電子元件范文第2篇

元件104電容的大小是100納法；

電容指的是在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量，記為C，國(guó)際單位是法拉，一般來(lái)說(shuō)，電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng)，當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲(chǔ)存，最常見(jiàn)的例子就是兩片平行金屬板，電容也是電容器的俗稱(chēng)。

（來(lái)源：文章屋網(wǎng) ）

電子元件范文第3篇

不論預(yù)期與現(xiàn)實(shí)有多大的差距，于2012年9月上市的iPhone 5的確又一次引領(lǐng)了全球智能終端產(chǎn)品的消費(fèi)熱潮。蘋(píng)果的產(chǎn)品向來(lái)不以硬件為圭臬，但專(zhuān)業(yè)機(jī)構(gòu)對(duì)其硬件的分析卻始終樂(lè)此不疲。在眾多分析文章中，iPhone 5所包含的5顆石英晶體元件往往被忽視，而其中的兩顆音叉晶振，更是不為人所知。

簡(jiǎn)單地說(shuō)，晶振是石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器的統(tǒng)稱(chēng)，而音叉晶振是指石英晶片外形類(lèi)似音叉的晶振。實(shí)際上，絕大多數(shù)涉及數(shù)據(jù)交換的電子產(chǎn)品都需要晶振元件為其提供時(shí)鐘頻率，否則便無(wú)法啟動(dòng)或者有效工作。由此可見(jiàn)晶振尤其是音叉晶振是電子產(chǎn)品中十分重要的元件。2011年全球音叉晶振產(chǎn)量約100億只，產(chǎn)值約15億美元。同年，中國(guó)音叉晶振產(chǎn)量約40億只，產(chǎn)量約占全球40%，產(chǎn)值約30億元，產(chǎn)值約占全球總產(chǎn)值30%。

音叉晶振應(yīng)用領(lǐng)域包括鐘表及表芯、手機(jī)、平板電腦、消費(fèi)電子、微型計(jì)算機(jī)等。目前，中國(guó)音叉晶振下游應(yīng)用市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭，帶動(dòng)音叉晶振需求增長(zhǎng)。2011年，中國(guó)鐘表及表芯產(chǎn)量16.4億只，使用了16.4億只音叉晶振，這是音叉晶振的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一；中國(guó)手機(jī)全年產(chǎn)量11.3億部，至少增加了11.3億顆音叉晶振需求，對(duì)音叉晶振行業(yè)帶動(dòng)較大；消費(fèi)電子和微型計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)也是音叉晶振的主要應(yīng)用市場(chǎng)。2011年中國(guó)消費(fèi)電子產(chǎn)量達(dá)到16.6億臺(tái)，微型計(jì)算機(jī)產(chǎn)量為3.2億臺(tái)，這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)σ舨婢д竦男枨蠹s20億只。

隨著技術(shù)的進(jìn)步以及市場(chǎng)應(yīng)用的變化，音叉晶振呈現(xiàn)小型化、高精度、低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。

首先，音叉晶振向小型化、薄片化和片式化發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯。近幾年，晶振下游應(yīng)用終端出現(xiàn)向小型化、輕薄化發(fā)展的趨勢(shì)。作為電子產(chǎn)品的重要元件，晶振也必須向小型化、薄片化和片式化發(fā)展。例如，iPhone 5厚度僅為7.6mm，其使用的兩顆音叉晶振是高度小型化、薄片化和片式化的高品質(zhì)產(chǎn)品。在過(guò)去的20年中，晶振產(chǎn)品體積從約150立方厘米縮小到約1.5立方厘米，急劇下降到最初的1/100，小型化在不斷進(jìn)展。

其次，音叉晶振向更高精度與更高穩(wěn)定度方向發(fā)展。晶振的小型化、薄片化和片式化發(fā)展趨勢(shì)，為提高其精度和穩(wěn)定度提出了更大挑戰(zhàn)。從市場(chǎng)應(yīng)用角度看，晶振為電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定的時(shí)鐘頻率，其精度和穩(wěn)定度對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量、性能以及后期維護(hù)成本具有至關(guān)重要的影響。此外，晶振成本只是下游產(chǎn)品總成本中極其微小的一部分，對(duì)下游產(chǎn)品價(jià)格影響甚微，所以品質(zhì)較高的晶振產(chǎn)品更受下游企業(yè)歡迎。

電子元件范文第4篇

1引言

在電路仿真中,電子器件的建模方法主要有物理模型法、宏模型法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)法[1-2].所謂物理模型,就是根據(jù)電子器件的物理特性建立模型,但由于器件的參數(shù)只有通過(guò)生產(chǎn)器件的廠(chǎng)家才能獲得,因此普通用戶(hù)一般不采用此方法建模.宏模型是電路子系統(tǒng)的等效電路,以端點(diǎn)變量對(duì)原電路進(jìn)行精確的描述.電路仿真標(biāo)準(zhǔn)軟件PSpice中提供了多項(xiàng)式法、函數(shù)法和查表法等用于構(gòu)造電路的宏模型,但多項(xiàng)式法和函數(shù)法都要求器件特性可以用多項(xiàng)式或函數(shù)來(lái)表達(dá),而大多數(shù)電器件特性是不能寫(xiě)出表達(dá)式的;查表法則需要大量數(shù)據(jù)才能保證模型的精度.神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)用于電子器件建模是近幾年提出的新方法,已經(jīng)用于隧道二極管[3]和傳感器建模[4],但目前主要應(yīng)用于具有簡(jiǎn)單非線(xiàn)性、可用單神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)逼近的器件建模.本文針對(duì)具有復(fù)雜非線(xiàn)性的電子器件建模,提出了分段建模的方法,并應(yīng)用于建立穩(wěn)壓二極管的電路仿真模型.

2單神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)用于穩(wěn)壓二極管特性逼近

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)用于器件建模一般分為3個(gè)過(guò)程:a.獲取被建模元件的輸入輸出數(shù)據(jù),并作為神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸入輸出矢量;b.利用上述輸入輸出矢量對(duì)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練,按期望精度獲得網(wǎng)絡(luò)的權(quán)值和閾值;c.在Pspice中建立單個(gè)神經(jīng)元和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模型.選取1N4732A穩(wěn)壓二極管作為研究對(duì)象,其伏安特性數(shù)據(jù)如（表略）對(duì)數(shù)據(jù)歸一化處理后,選取具有單隱層的BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行特性逼近,結(jié)果當(dāng)隱層神經(jīng)元個(gè)數(shù)為65個(gè)時(shí),才達(dá)到精度要求.由于隱層神經(jīng)元個(gè)數(shù)多,所建器件模型過(guò)于復(fù)雜,會(huì)造成仿真過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)甚至不收斂等現(xiàn)象.因此,采用單個(gè)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)無(wú)法建立滿(mǎn)意的1N4732A穩(wěn)壓二極管模型.

3穩(wěn)壓二極管模型的分段建模實(shí)現(xiàn)

根據(jù)1N4732A的電壓電流特性,將其分為正向特性曲線(xiàn)部分和反向特性曲線(xiàn)部分,并分別采用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行逼近.正向和反向訓(xùn)練結(jié)果分別（圖略）為了適應(yīng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練,在反向特性訓(xùn)練前,先將電流值取反,在PSpice描述時(shí)再將電流取反即可.訓(xùn)練結(jié)果表明,對(duì)正向特性的逼近所需要的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱層神經(jīng)元個(gè)數(shù)為4個(gè),對(duì)反向特性的逼近所需要的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱層神經(jīng)元個(gè)數(shù)為5個(gè),作用函數(shù)均采用S型函數(shù).將正向特性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和反向特性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分別在PSpice中進(jìn)行描述[2-3],并采用如圖3所示結(jié)構(gòu)形成子電路,即完成建模過(guò)程.圖中,SW1和SW2為電壓控制開(kāi)關(guān),E1和E2為電壓控制電壓源,受節(jié)點(diǎn)1和2之間的電壓控制;G(V5+V8)為電壓控制電流源,其電流受節(jié)點(diǎn)5和8電壓之和的控制.通過(guò)對(duì)SW1和SW2導(dǎo)通和關(guān)斷電壓的控制可以完成特性曲線(xiàn)的切換.為驗(yàn)證模型的有效性,在PSpice中,對(duì)該模型加一直流掃描電壓,其伏安特性曲線(xiàn)如圖4所示,符合精度要求.

電子元件范文第5篇

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12.采用基于FPGA的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)現(xiàn)廣播到"超廣播"的飛躍——賽靈思器件推動(dòng)電視向高清、3D乃至更為深廣的領(lǐng)域發(fā)展MikeSantarini

13.探討交替射頻技術(shù)(AMP)和Wi-FiDirect的不同使用場(chǎng)合CSR

14.Wi-Fi商機(jī)來(lái)臨開(kāi)啟無(wú)線(xiàn)時(shí)代——Wi-FiDirect新標(biāo)準(zhǔn)再掀技術(shù)革命李鳳儀

15.聯(lián)手首爾半導(dǎo)體世健完善LED產(chǎn)業(yè)鏈周衛(wèi)紅

16.銷(xiāo)售工程師:從現(xiàn)在起讓自己變得"相對(duì)"優(yōu)秀李揚(yáng)

17.世界杯刺激2010年機(jī)頂盒銷(xiāo)售JordanSelburn

18.iPad引發(fā)電子書(shū)閱讀器價(jià)格戰(zhàn)WilliamKidd

19.智能電動(dòng)執(zhí)行器電機(jī)速度控制方法的研究孫麗麗，喬毅

20.溫濕度顯示儀的設(shè)計(jì)楊小溪，唐明新

21.模糊自校正方法在網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)中的應(yīng)用湯橋

1.iPad顛覆消費(fèi)電子產(chǎn)品游戲規(guī)則重金打造用戶(hù)界面iSuppli

2.資訊

3.用電容性觸摸技術(shù)實(shí)現(xiàn)觸摸按鈕、滑塊和滑輪設(shè)計(jì)RamaprasadSubramanian

4.普適計(jì)算之電器用戶(hù)界面StephenPorte，KeithCurtis

5.AVAGOPocotouch——真正的多點(diǎn)觸摸屏方案劉福佳

6.ADI北京設(shè)計(jì)中心助力中國(guó)業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展ADI多重機(jī)制鼓勵(lì)創(chuàng)新碩果累累李鳳儀

7.博通擴(kuò)展無(wú)線(xiàn)連接平臺(tái),硬件軟件齊上陣逸舟

8.并聯(lián)充電器系統(tǒng)可從以往不可用的低電流電源收集功率SteveKnoth

9.復(fù)合鐵粉芯電感中鐵損的簡(jiǎn)化計(jì)算確定由于鐵損造成的溫升,確保選擇合適的器件NicholasJ.Schade

10.3G毫微微蜂窩模擬前端設(shè)計(jì)ThomasCameron，PeadarForbes

11.使用XilinxFPGA產(chǎn)品加速數(shù)據(jù)包處理AndyNorton

12.LTE開(kāi)啟商用新紀(jì)元TD-LTE被寄予厚望李鳳儀

13.飛思卡爾推出64位QorIQ平臺(tái)擴(kuò)大針對(duì)多核處理器的高性能產(chǎn)品組合

14.USB3.0的物理層發(fā)送端測(cè)試方案張昌駿

15.發(fā)揮FPGA設(shè)計(jì)的無(wú)限潛力RobEvans

16.USBOTG:便攜式消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品需要的唯一有線(xiàn)接口!DanHarmon

17.互聯(lián)時(shí)代,車(chē)載娛樂(lè)及導(dǎo)航系統(tǒng)中藍(lán)牙技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析LarsBoeryd

18.穩(wěn)健中求發(fā)展益登科技完善電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈周衛(wèi)紅

19.一個(gè)好硬件工程師必定是一個(gè)好項(xiàng)目經(jīng)理HtTp://

20.MEMS汽車(chē)傳感器將在2010年反彈存在市場(chǎng)過(guò)熱的威脅,可能導(dǎo)致滑坡RICHARDDIXON

21.把云內(nèi)容引入汽車(chē)連接服務(wù)與應(yīng)用的路線(xiàn)圖指明方向PHILMAGNEY

22.智能手機(jī)成為新的LBS戰(zhàn)場(chǎng)OEM和軟件制造商等面臨大量機(jī)會(huì)DANNYKIM

23.動(dòng)力蓄電池壽命模型研究于冰，孫會(huì)秋，扈艷彬，陳科

24.基于嵌入式技術(shù)的車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)的研究張德?tīng)I(yíng)，王喆，張曉艷

25.基于數(shù)據(jù)庫(kù)的垂直搜索網(wǎng)站李曉千，范增杰

1.1+1=?ARM與Xilinx的重大戰(zhàn)略電子元器件資訊 楊劍

2.信息

3.醫(yī)療設(shè)備走向便攜化TomO'Dwyer

4.以硬件為中心的方案打造具有更高可靠性的醫(yī)療設(shè)備ChuckRusso，GregCrouch

5.將由CompactRIO硬件平臺(tái)控制的高精度機(jī)器人設(shè)備用于腦瘤手術(shù)美國(guó)國(guó)家儀器公司

6.ISM革命:下一個(gè)大事件IbounTaimjyaSylla

7.利用示波器幫助選擇高性能的視頻卡泰克科技(中國(guó))有限公司

8.高性能混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案在便攜與家用醫(yī)療電子設(shè)備中的多元應(yīng)用楊劍

9.應(yīng)用于家用醫(yī)療電子產(chǎn)品的低功耗數(shù)字解決方案楊劍

10.ADI三大戰(zhàn)略征戰(zhàn)中國(guó)醫(yī)療電子市場(chǎng)專(zhuān)訪(fǎng)ADI亞太區(qū)醫(yī)療事業(yè)資深業(yè)務(wù)經(jīng)理周文勝先生ADI公司DSP亞太區(qū)業(yè)務(wù)經(jīng)理陸磊先生楊劍

11.博通移動(dòng)平臺(tái)策略悄變——專(zhuān)訪(fǎng)博通公司移動(dòng)平臺(tái)業(yè)務(wù)部(MPG)副總裁兼總經(jīng)理ScottBibaud逸舟

12.戰(zhàn)略收購(gòu)助力Intersil做最好的ADC產(chǎn)品挖掘市場(chǎng)潛力整合高增長(zhǎng)市場(chǎng)——專(zhuān)訪(fǎng)Intersil應(yīng)用工程副總裁黃旭東常琳璘

13.MILMEGA中國(guó)發(fā)力新產(chǎn)品將使份額實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)逸舟

14.飛思卡爾新款處理器有助于降低下一代電子閱讀器的成本促進(jìn)其創(chuàng)新飛思卡爾半導(dǎo)體

15.神奇的"SurePress"技術(shù)劉福佳

16.拋棄細(xì)枝末節(jié),專(zhuān)注原型創(chuàng)意Altium

17.充分發(fā)揮AMBA3AXI協(xié)議的性能優(yōu)勢(shì)MickPosner，F(xiàn)redRoberts

18.藍(lán)牙低能耗規(guī)范為新應(yīng)用創(chuàng)造新機(jī)會(huì)李鳳儀

19.無(wú)鑰匙系統(tǒng)與汽車(chē)安全常琳璘

20.依托實(shí)體市場(chǎng)打造誠(chéng)信電子元器件交易網(wǎng)周衛(wèi)紅

21.從CCBN展會(huì)看"三網(wǎng)融合"王曉明

22.九年風(fēng)雨路——一名電子技術(shù)支持工程師的成長(zhǎng)歷程周衛(wèi)紅

23.淺議航空產(chǎn)品電子元器件的質(zhì)量監(jiān)控祝貞鳳

24.iSuppli向上修正2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率2006年以來(lái)首次達(dá)到兩位數(shù)DALEFORD

25.汽車(chē)信息娛樂(lè)能從蘋(píng)果iPhoneOS4中得到什么?三種新功能可能為汽車(chē)開(kāi)辟一系列新機(jī)會(huì)和可能性DANNYKIM

26.到2020年將有1/3的汽車(chē)集成節(jié)能導(dǎo)航系統(tǒng)政府法規(guī)、OEM廠(chǎng)商的努力和消費(fèi)者需求刺激其增長(zhǎng)JEREMYCARLSON

27.SMA型射頻同軸連接器家族趙漢林

28.基于差動(dòng)變壓器式位移傳感器電源設(shè)計(jì)方案馬耀斌

1.光伏產(chǎn)業(yè)面臨的研發(fā)挑戰(zhàn)ElsParton，PhilipPieters，JefPoortmans，孫洪濤

2.消息

3.高產(chǎn)能四管臥式熱壁型PECVD設(shè)備鄭建宇，宋曉彬，張燕，ZhengJianYu，SongXiaoBin，ZhangYan

4.全自動(dòng)硅片裝片機(jī)工藝設(shè)備研制吳洪坤，張瑾，孫曉波，WuHongKun，ZhangJin，SunXiaoBo

5.硅太陽(yáng)能電池電鍍工藝及設(shè)備張蕾，ZhangLei

6.晶體硅太陽(yáng)能電池鈍化膜制備技術(shù)的新進(jìn)展王娜，胡立瓊，王寶全，WangNa，HuLiQiong，WangBaoQuan

7.晶體硅太陽(yáng)能光伏制造裝備產(chǎn)業(yè)化楊劍，王棟，程文進(jìn)，YangJian，WangDong，ChengWenJin

8.芯片級(jí)工藝開(kāi)啟可更新能源進(jìn)步DarrenBrown，DarrenBrown

9.碲化鎘(CdTe)薄膜太陽(yáng)電池實(shí)驗(yàn)室設(shè)備侯榮華，王燕，陳望舒，HouRongHua，WangYan，ChenWangShu

10.金剛石單線(xiàn)切割設(shè)備及切割技術(shù)王仲康，楊生榮，WangZhongKang，YangShengRong

11.電子元器件資訊 淺談擺動(dòng)式多線(xiàn)切割機(jī)原理及應(yīng)用張寶玉，ZhangBaoYu

12.應(yīng)用納米結(jié)構(gòu)模板的單晶半導(dǎo)體材料制作工藝WANG,WangNang，NANOGANLIMITED

13.大直徑鍺單晶爐的研制西安理工晶體科技有限公司，Xi'anCGTCo.,Ltd

14.硅片非接觸式載流子壽命測(cè)量R.A.Sinton，R.A.Sinton

15.射頻濺射沉積SiO2膜的工藝及其結(jié)構(gòu)性能研究藍(lán)鎮(zhèn)立，程文進(jìn)，劉咸成，賈京英，龔杰洪，LanZhenLi，ChengWenJin，LiuXianCheng，JiaJingYing，GongJieHong

16.貴金屬磁控濺射鍍膜技術(shù)及工藝研究藍(lán)鎮(zhèn)立，劉咸成，全廷立，賈京英，龔杰洪，LanZhenLi，LiuXianCheng，QuanTingLi，JiaJingYing，GongJieHong

17.光刻技術(shù):新的應(yīng)用浪潮ASML公司，ASMLInc.