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大規(guī)模集成電路范文第1篇

集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)是戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和產(chǎn)業(yè)之間關(guān)聯(lián)度很高的產(chǎn)業(yè)。它是電子信息產(chǎn)業(yè)和現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ),也是改造提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),已成為衡量一個國家經(jīng)濟(jì)和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的重要標(biāo)志之一,是各國搶占經(jīng)濟(jì)科技制高點(diǎn)、提升綜合國力的重點(diǎn)領(lǐng)域。

集成電路產(chǎn)業(yè)是典型的知識密集型、技術(shù)密集型、資本密集和人才密集型的高科技產(chǎn)業(yè),它不僅要求有很強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)實(shí)力,還要求具有很深的文化底蘊(yùn)。集成電路產(chǎn)業(yè)由集成電路設(shè)計(jì)、掩模、集成電路制造、封裝、測試、支撐等環(huán)節(jié)組成。隨著集成電路技術(shù)的提升、市場規(guī)模的擴(kuò)大以及資金投入的大幅提高,專業(yè)化分工的優(yōu)點(diǎn)日益體現(xiàn)出來,集成電路產(chǎn)業(yè)從最初的一體化IDM,逐漸發(fā)展成既有IDM,又有無集成電路制造線的集成電路設(shè)計(jì)(Fabless)、集成電路代工制造(Foundry)、封裝測試、設(shè)備與材料支撐等專業(yè)公司。

國家始終把集成電路作為信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心。2000年國家18號文件(《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》)出臺后,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境。2005年國家制定的《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要 (2006-2020年)》安排了16個國家重大專項(xiàng),其中兩個涉及到集成電路行業(yè),一個是“核心電子器件、高端通用集成電路及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”,另外一個則是“集成電路成套工藝、重大設(shè)備與配套材料”,分列第一、二位。2008年國家出臺的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整與振興規(guī)劃》明確提出:加大鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策實(shí)施力度,立足自主創(chuàng)新,突破關(guān)鍵技術(shù),要加大投入,集中力量實(shí)施集成電路升級,著重建立自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。

無錫是中國集成電路產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn),曾作為國家南方微電子工業(yè)基地,先后承擔(dān)國家“六五”、“七五”和“九0八”工程。經(jīng)過近20年的不斷發(fā)展,無錫不僅積累了雄厚的集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),而且培育和引進(jìn)了一批骨干企業(yè),有力地推動了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2000年,無錫成為國家科技部批準(zhǔn)的7個國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地之一。2008年,無錫成為繼上海之后第二個由國家發(fā)改委認(rèn)定的國家微電子高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地,進(jìn)一步確立了無錫在中國集成電路產(chǎn)業(yè)中的優(yōu)勢地位,2009年8月7日,溫總理訪問無錫并確立無錫為中國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心城市,微電子工業(yè)作為物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)電子支撐,又引來了新一輪的發(fā)展機(jī)遇。

發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是實(shí)現(xiàn)無錫新區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、支撐經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展、引領(lǐng)經(jīng)濟(jì)騰飛、提升創(chuàng)新型城市地位、提高城市綜合實(shí)力和競爭力的關(guān)鍵。無錫新區(qū)應(yīng)當(dāng)抓住從世界金融危機(jī)中回暖和建設(shè)“感知中國中心”的發(fā)展機(jī)遇,以優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、重視和引進(jìn)晶圓制造業(yè)、優(yōu)化發(fā)展封測配套業(yè)、積極扶持支撐業(yè)為方向,加大對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引導(dǎo)和扶持,加快新區(qū)超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)園的建設(shè),加強(qiáng)高端人才的集聚和培育,實(shí)現(xiàn)無錫市委市政府提出的“把無錫打造成為中國真正的集成電路集聚區(qū)、世界集成電路的高地、打造‘中國IC設(shè)計(jì)第一區(qū)’和‘東方硅谷’品牌的愿景”,實(shí)現(xiàn)新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的跨越式發(fā)展。

2新區(qū)超大規(guī)模集成電路園

(2010年-2012年)行動計(jì)劃

2.1 指導(dǎo)思想

全面貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,堅(jiān)持走新型工業(yè)化道路,緊跟信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的世界潮流,以積極扶持、引導(dǎo)現(xiàn)有存量企業(yè)為基礎(chǔ),以引進(jìn)和孵化為手段,以重點(diǎn)項(xiàng)目為抓手,大力集聚高科技人才,加大政府推進(jìn)力度,提高市場化運(yùn)行程度,強(qiáng)攻設(shè)計(jì)業(yè),壯大制造業(yè),構(gòu)建集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測試、系統(tǒng)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)支撐于一體的完整IC產(chǎn)業(yè)鏈,建成“東方硅谷”。

2.2 發(fā)展目標(biāo)

從2010年到2012年,無錫新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)年均引進(jìn)企業(yè)數(shù)15家以上,期內(nèi)累計(jì)新增規(guī)范IC企業(yè)40家,期末產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)總數(shù)120家以上,產(chǎn)業(yè)規(guī)模年均增長25%以上,2012年目標(biāo)400億元,到2015年,全區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到800億元,占全國比重達(dá)20%以上。年均引進(jìn)和培養(yǎng)中、高級IC人才600名,期內(nèi)累計(jì)新增2000名,期末專業(yè)技術(shù)高端人才存量達(dá)3000名。

2.3 主要任務(wù)

2.3.1 重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域

按照“優(yōu)先發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè),重點(diǎn)引進(jìn)晶圓制造業(yè),優(yōu)化提升封裝測試業(yè),積極扶植支撐業(yè)”的基本思路,繼續(xù)完善和落實(shí)產(chǎn)業(yè)政策,加強(qiáng)公共服務(wù),提升自主創(chuàng)新能力,推進(jìn)相關(guān)資源整合重組,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)調(diào)發(fā)展,形成無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)最集中區(qū)域。

2.3.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間布局

集成電路產(chǎn)業(yè)是無錫新區(qū)區(qū)域優(yōu)勢產(chǎn)業(yè),產(chǎn)業(yè)規(guī)模占據(jù)全市70%以上,按照“區(qū)域集中、產(chǎn)業(yè)集聚、發(fā)展集約”的原則,高標(biāo)準(zhǔn)規(guī)劃和建設(shè)新區(qū)超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)園,引導(dǎo)有實(shí)力的企業(yè)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)園區(qū),由園區(qū)的骨干企業(yè)作龍頭,帶動和盤活區(qū)域產(chǎn)業(yè),增強(qiáng)園區(qū)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)間的互動配合,不斷補(bǔ)充、豐富、完善和加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),形成具有競爭實(shí)力的產(chǎn)業(yè)集群,成為無錫新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主體工程。

無錫新區(qū)超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)園位于無錫新區(qū),距離無錫碩放機(jī)場15公里,距無錫新區(qū)管委會約3公里。

超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)總規(guī)劃面積3平方公里,規(guī)劃區(qū)域北起泰山路、西至錫仕路,東臨312國道和滬寧高速公路,南至新二路。園區(qū)規(guī)劃主體功能區(qū)包括制造業(yè)區(qū)設(shè)計(jì)孵化區(qū)、設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化總部經(jīng)濟(jì)區(qū)、設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化配套服務(wù)區(qū)等,占地共700畝,規(guī)劃基礎(chǔ)配套區(qū)包括建設(shè)園內(nèi)干道網(wǎng)和開放式對外交通網(wǎng)絡(luò),同步配套與發(fā)展IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)相關(guān)聯(lián)的寬帶網(wǎng)絡(luò)中心、國際衛(wèi)星中心、國際培訓(xùn)中心等,按照園內(nèi)企業(yè)人群特點(diǎn),規(guī)劃高端生活商務(wù)區(qū)。

園區(qū)目前已有國內(nèi)最大工藝最先進(jìn)的集成電路制造企業(yè)海力士恒億半導(dǎo)體,南側(cè)有KEC等集成電路和元器件制造、封測企業(yè)。園區(qū)的目標(biāo)是建成集科研教育區(qū)、企業(yè)技術(shù)產(chǎn)品貿(mào)易區(qū)、企業(yè)孵化區(qū)、規(guī)模企業(yè)獨(dú)立研發(fā)區(qū)和生活服務(wù)區(qū)于一體的高標(biāo)準(zhǔn)、國際化的集成電路專業(yè)科技園區(qū),作為承接以IC設(shè)計(jì)業(yè)為主體、封測、制造、系統(tǒng)方案及支撐業(yè)為配套的企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的主要載體。支持跨國企業(yè)全球研發(fā)中心、技術(shù)支持中心、產(chǎn)品系統(tǒng)方案及應(yīng)用、上下游企業(yè)交流互動、規(guī)模企業(yè)獨(dú)立研發(fā)配套設(shè)施、物流、倉儲、產(chǎn)品營銷網(wǎng)點(diǎn)、國際企業(yè)代表處等的建設(shè),組建“類IDM”的一站式解決方案平臺。

2.3.3 主要發(fā)展方向與任務(wù)

(1)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)

集成電路設(shè)計(jì)是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的龍頭,是整個產(chǎn)業(yè)鏈中最具引領(lǐng)和帶動作用的環(huán)節(jié),處于集成電路價(jià)值鏈的頂端。國家對IC產(chǎn)業(yè)、特別是IC設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展的政策扶持為集成電路發(fā)展IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)提供了良好的宏觀政策環(huán)境?！昂诵碾娮悠骷⒏叨送ㄓ眯酒盎A(chǔ)軟件產(chǎn)品”與“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”列在16個重大專項(xiàng)的第一、二位,說明政府對集成電路產(chǎn)業(yè)的高度重視。這兩個重大專項(xiàng)實(shí)施方案的通過,為IC設(shè)計(jì)企業(yè)提升研發(fā)創(chuàng)新能力、突破核心技術(shù)提供了發(fā)展機(jī)遇。新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要密切結(jié)合已有產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展潮流,進(jìn)一步促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平和整體規(guī)模,實(shí)現(xiàn)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)新一輪超常規(guī)的發(fā)展。

1)、結(jié)合現(xiàn)有優(yōu)勢,做大做強(qiáng)以消費(fèi)類為主的模擬芯片產(chǎn)業(yè)。

無錫集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步早,基礎(chǔ)好,實(shí)力強(qiáng)。目前,無錫新區(qū)積聚了60余家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),包括國有企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)、民營企業(yè)以及近幾年引進(jìn)的海歸人士創(chuàng)業(yè)企業(yè)。代表性企業(yè)包括有:華潤矽科、友達(dá)、力芯、芯朋、美新、海威、無錫中星微、硅動力、紫芯、圓芯、愛芯科、博創(chuàng)、華芯美等公司。產(chǎn)品以消費(fèi)類電子為主,包括:DC/DC、ADC/DAC、LED驅(qū)動、射頻芯片、智能電網(wǎng)芯片等,形成了以模擬電路為主的產(chǎn)品門類集聚,模擬IC產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),成為無錫地區(qū)IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域的特色和優(yōu)勢,推動以模擬電路產(chǎn)品開發(fā)為基礎(chǔ)的現(xiàn)有企業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；l(fā)展,是新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

2)結(jié)合高端調(diào)整戰(zhàn)略,持續(xù)引進(jìn)、培育系統(tǒng)設(shè)計(jì)企業(yè)。

無錫“530”計(jì)劃吸引眾多海外高端集成電路人才到無錫創(chuàng)業(yè),已經(jīng)成為無錫城市的一張“名片”,并在全球范圍內(nèi)造就了關(guān)注高科技、發(fā)展高科技的影響力。以海歸人員為代表的創(chuàng)業(yè)企業(yè)相繼研發(fā)成功通信、MEMS、多媒體SOC等一批高端產(chǎn)品,為無錫高端集成電路設(shè)計(jì)的戰(zhàn)略調(diào)整,提供了堅(jiān)實(shí)的人才基礎(chǔ)和技術(shù)基礎(chǔ)。隨著海峽兩岸關(guān)系的平緩與改善,中國臺灣正在考慮放寬集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)到大陸投資政策,新區(qū)要緊緊抓住這一機(jī)遇,加大對中國臺灣集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的引進(jìn)力度。新區(qū)擁有相對完善的基礎(chǔ)配套設(shè)施、宜居的人文環(huán)境、濃厚的產(chǎn)業(yè)氛圍、完備的公共技術(shù)平臺和服務(wù)體系,將成高端集成電路人才創(chuàng)業(yè)的首選。

3)結(jié)合電子器件國產(chǎn)化戰(zhàn)略,發(fā)展大功率、高電壓半導(dǎo)體功率器件。

高效節(jié)能已經(jīng)成為未來電子產(chǎn)品發(fā)展的一個重要方向,電源能耗標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)在全球逐步實(shí)施,將來,很多國家將分別實(shí)施綠色電源標(biāo)準(zhǔn),世界各國已對家電與消費(fèi)電子產(chǎn)品的待機(jī)功耗與效率開始實(shí)施越來越嚴(yán)格的省電要求,高效節(jié)能保護(hù)環(huán)境已成為當(dāng)今共識。提高效率與減小待機(jī)功耗已成為消費(fèi)電子與家電產(chǎn)品電源的兩個非常關(guān)鍵的指標(biāo)。中國目前已經(jīng)開始針對某些產(chǎn)品提出能效要求,此外,歐美發(fā)達(dá)國家對某些電子產(chǎn)品有直接的能效要求,如果中國想要出口,就必須滿足其能效要求,這些提高能效的要求將會為功率器件市場提供更大的市場動力。功率器件包括功率IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),除了保證設(shè)備的正常運(yùn)行以外,功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于制造工藝等因素的限制,形成相對較高的技術(shù)門檻,同時(shí),新區(qū)企業(yè)擁有的深厚的模擬電路技術(shù)功底以及工藝開發(fā)制造能力,作為一種產(chǎn)業(yè)化周期相對較短的項(xiàng)目,現(xiàn)在越來越清晰的看到,模擬和功率器件是新區(qū)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)的重點(diǎn)發(fā)展方向。

4)結(jié)合傳感網(wǎng)示范基地建設(shè),發(fā)展射頻電子、無線通信、衛(wèi)星電子、汽車電子、娛樂電子及未來數(shù)字家居電子產(chǎn)業(yè)。

“物聯(lián)網(wǎng)”被稱為繼計(jì)算機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)之后,世界信息產(chǎn)業(yè)的第三次浪潮。專家預(yù)測10年內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)就可能大規(guī)模普及,應(yīng)用物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的高科技市場將達(dá)到上萬億元的規(guī)模,遍及智能交通、環(huán)境保護(hù)、公共安全、工業(yè)監(jiān)測、物流、醫(yī)療等各個領(lǐng)域。目前,物聯(lián)網(wǎng)對于全世界而言都剛起步,各個國家都基本處于同一起跑線。溫總理訪問無錫并確立無錫為未來中國傳感網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心城市,將成為難得的戰(zhàn)略機(jī)遇,新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)該緊緊圍繞物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史機(jī)遇,大力發(fā)展射頻電子、MEMS傳感技術(shù)、數(shù)字家居等,為傳感網(wǎng)示范基地建設(shè)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提供有效的基礎(chǔ)電子支撐。

(2)集成電路制造業(yè)

重大項(xiàng)目,特別是高端芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)是擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模、形成產(chǎn)業(yè)集群、帶動就業(yè)、帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要手段。是新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)壯大規(guī)模的主要支撐,新區(qū)要確保集成電路制造業(yè)在全國的領(lǐng)先地位,必須扶持和推進(jìn)現(xiàn)有重點(diǎn)項(xiàng)目,積極引進(jìn)高端技術(shù)和特色配套工藝生產(chǎn)線。

1)積極推進(jìn)現(xiàn)有大型晶園制造業(yè)項(xiàng)目

制造業(yè)投資規(guī)模大,技術(shù)門檻高,整體帶動性強(qiáng),處于產(chǎn)業(yè)鏈的中游位置,是完善產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵。新區(qū)集成電路制造業(yè)以我國的最大的晶圓制造企業(yè)無錫海力士-恒億半導(dǎo)體為核心,推動12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張,鼓勵企業(yè)不斷通過技術(shù)改造,提升技術(shù)水平,支持企業(yè)周邊專業(yè)配套,完善其產(chǎn)業(yè)鏈。鼓勵KEC等向集成器件制造(IDM)模式的企業(yè)發(fā)展,促進(jìn)設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)的協(xié)調(diào)互動發(fā)展。積極推進(jìn)落實(shí)中國電子科技集團(tuán)公司第58所的8英寸工藝線建設(shè),進(jìn)一步重點(diǎn)引進(jìn)晶圓制造業(yè),確保集成電路制造業(yè)在國內(nèi)的領(lǐng)先地位。

2)重視引進(jìn)高端技術(shù)與特色工藝生產(chǎn)線

國際IC大廠紛紛剝離芯片制造線,甩掉運(yùn)轉(zhuǎn)晶圓制造線所帶來的巨大成本壓力,向更專注于IC設(shè)計(jì)的方向發(fā)展。特別是受國際金融危機(jī)引發(fā)的經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響以來,這一趨勢更為明顯,紛紛向海外轉(zhuǎn)移晶圓制造線,產(chǎn)業(yè)園將緊緊抓住機(jī)遇,加大招商引資力度。在重點(diǎn)發(fā)展12英寸、90納米及以下技術(shù)生產(chǎn)線,兼顧8英寸芯片生產(chǎn)線的建設(shè)的同時(shí),重視引進(jìn)基于MEMS工藝、射頻電路加工的特色工藝生產(chǎn)線,協(xié)助開發(fā)模擬、數(shù)模混合、SOI、GeSi等特色工藝產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)多層次、全方位的晶圓制造能力。

(3)集成電路輔助產(chǎn)業(yè)

1)優(yōu)化提升封裝測試業(yè)

無錫新區(qū)IC封裝測試業(yè)以對外開放服務(wù)的經(jīng)營模式為主,海力士封裝項(xiàng)目、華潤安盛、英飛凌、東芝半導(dǎo)體、強(qiáng)茂科技等封測企業(yè)增強(qiáng)了無錫新區(qū)封測環(huán)節(jié)的整體實(shí)力。近年來封測企業(yè)通過強(qiáng)化技術(shù)創(chuàng)新,在芯片級封裝、層疊封裝和微型化封裝等方面取得突破,縮短了與國際先進(jìn)水平的差距,成為國內(nèi)集成電路封裝測試的重要板塊。

隨著3G手機(jī)、數(shù)字電視、信息家電和通訊領(lǐng)域、交通領(lǐng)域、醫(yī)療保健領(lǐng)域的迅速發(fā)展,集成電路市場對高端集成電路產(chǎn)品的需求量不斷增加,對QFP(LQFP、TQFP)和QFN等高腳數(shù)產(chǎn)品及FBP、MCM(MCP)、BGA、CSP、3D、SIP等中高檔封裝產(chǎn)品需求已呈較大的增長態(tài)勢。無錫新區(qū)將根據(jù)IC產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化對高端封測的需求趨勢,積極調(diào)整產(chǎn)品、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),重點(diǎn)發(fā)展系統(tǒng)級封裝(SIP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等先進(jìn)封裝測試技術(shù)水平和能力,提升產(chǎn)品技術(shù)檔次,促進(jìn)封測產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整和優(yōu)化。

2)積極扶持支撐業(yè)

支撐與配套產(chǎn)業(yè)主要集中在小尺寸單晶硅棒、引線框架、塑封材料、工夾具、特種氣體、超純試劑等。我國在集成電路支撐業(yè)方面基礎(chǔ)還相當(dāng)薄弱。新區(qū)將根據(jù)企業(yè)需求,積極引進(jìn)相關(guān)配套支撐企業(yè),實(shí)現(xiàn)12英寸硅拋光片和8~12英寸硅外延片、鍺硅外延片、SOI材料、寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料、光刻膠、化學(xué)試劑、特種氣體、引線框架等關(guān)鍵材料的配套。以部分關(guān)鍵設(shè)備、材料為突破口,重視基礎(chǔ)技術(shù)研究,加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,提高支撐配套能力,形成上下游配套完善的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

3保障措施

國家持續(xù)執(zhí)行宏觀調(diào)控政策、集成電路產(chǎn)業(yè)升溫回暖以及國內(nèi)IC需求市場持續(xù)擴(kuò)大、國際IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)轉(zhuǎn)移和周期性發(fā)展是無錫新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展未來面臨的主要外部環(huán)境,要全面實(shí)現(xiàn)“規(guī)劃”目標(biāo),就必須在落實(shí)保障措施上很下功夫。2010-2012年,新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)將重點(diǎn)圍繞載體保障、人才保障、政策保障,興起新一輪環(huán)境建設(shè)和招商引智,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級和產(chǎn)業(yè)總量新的擴(kuò)張,為實(shí)現(xiàn)中國“IC設(shè)計(jì)第一區(qū)”打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

3.1 快速啟動超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)園載體建設(shè)

按照相關(guān)部門的部署和要求,各部門協(xié)調(diào)分工負(fù)責(zé),前后聯(lián)動,高起點(diǎn)規(guī)劃,高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)。盡快確定園區(qū)規(guī)劃、建設(shè)規(guī)劃、資金籌措計(jì)劃等。2010年首先啟動10萬平方米集成電路研發(fā)區(qū)載體建設(shè),2011年,進(jìn)一步加大開發(fā)力度,基本形成園區(qū)形象。

3.2 強(qiáng)力推進(jìn)核“芯”戰(zhàn)略專業(yè)招商引智工程

以國家集成電路設(shè)計(jì)園現(xiàn)有專業(yè)招商隊(duì)伍為基礎(chǔ),進(jìn)一步補(bǔ)充和完善具備語言、專業(yè)技術(shù)、國際商務(wù)、投融資顧問、科技管理等全方位能力的專門化招商隊(duì)伍;區(qū)域重點(diǎn)突破硅谷、中國臺灣、北京、上海、深圳等地專業(yè)產(chǎn)業(yè)招商,聚焦集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、集成電路先進(jìn)制造業(yè)、集成電路支撐(配套)業(yè)三個板塊,引導(dǎo)以消費(fèi)類為主導(dǎo)的芯片向高端系統(tǒng)級芯片轉(zhuǎn)變,以創(chuàng)建中國“集成電路產(chǎn)業(yè)第一園區(qū)”的氣魄,調(diào)動各方資源,強(qiáng)力推進(jìn)產(chǎn)業(yè)招商工作。

3.3 與時(shí)俱進(jìn),不斷更新和升級公共技術(shù)服務(wù)平臺

進(jìn)一步仔細(xì)研究現(xiàn)有企業(yè)對公共服務(wù)需求情況,在無錫IC基地原有EDA設(shè)計(jì)服務(wù)平臺、FPGA創(chuàng)新驗(yàn)證平臺、測試及可靠性檢測服務(wù)平臺、IP信息服務(wù)平臺以及相關(guān)科技信息中介服務(wù)平臺的基礎(chǔ)上,拓展系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)支撐服務(wù)能力,搭建適用于系統(tǒng)應(yīng)用解決方案開發(fā)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)、PCB制作、IP模塊驗(yàn)證、系統(tǒng)驗(yàn)證服務(wù)平臺。為重點(diǎn)培育和發(fā)展的六大新興產(chǎn)業(yè)之一的“物聯(lián)網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供必要的有效的服務(wù)延伸。支持以專用芯片設(shè)計(jì)為主向系統(tǒng)級芯片和系統(tǒng)方案開發(fā)方向延伸,完善、調(diào)整和優(yōu)化整體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。支持集成電路芯片設(shè)計(jì)與MEMS傳感器的集成技術(shù),使傳感器更加堅(jiān)固耐用、壽命長、成本更加合理,最終使傳感器件實(shí)現(xiàn)智能化。

3.4 內(nèi)培外引,建設(shè)專業(yè)人才第一高地

加大人才引進(jìn)力度。針對無錫新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)際需求,豐富中高級人才信息積累,每年高級人才信息積累達(dá)到500名以上。大力推進(jìn)高校集成電路人才引導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)建設(shè),與東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、成都電子科技大學(xué)等國內(nèi)相關(guān)院校開展合作,每年引進(jìn)相關(guān)專業(yè)應(yīng)屆畢業(yè)生500人以上,其中研究生100人以上。及時(shí)研究了解國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)IC人才結(jié)構(gòu)、人才流動情況,實(shí)現(xiàn)信息共享,每年引進(jìn)IC中高級人才200人以上。積極開展各類國際人才招聘活動,拓寬留學(xué)歸國人員引進(jìn)渠道,力爭引進(jìn)國際IC專家、留學(xué)歸國人員100人以上。到2012年,無錫新區(qū)IC設(shè)計(jì)高級專業(yè)技術(shù)人才總數(shù)達(dá)到3000人。

建立健全教育培訓(xùn)體系。以東南大學(xué)的集成電路學(xué)院在無錫新區(qū)建立的高層次人才培養(yǎng)基地為重點(diǎn),到2012年碩士及以上學(xué)歷培養(yǎng)能力每年達(dá)到500人。支持江南大學(xué)、東南大學(xué)無錫分校擴(kuò)大本科教育規(guī)模,加強(qiáng)無錫科技職業(yè)學(xué)院集成電路相關(guān)學(xué)科的辦學(xué)實(shí)力,建立區(qū)內(nèi)實(shí)踐、實(shí)習(xí)基地,保障行業(yè)對各類專業(yè)技術(shù)人才的需求。與國際著名教育機(jī)構(gòu)聯(lián)合建立高層次的商學(xué)院和公共管理學(xué)院,面向企業(yè)中高層管理人員,加強(qiáng)商務(wù)人才和公共管理人才的培養(yǎng)。

3.5 加強(qiáng)制度創(chuàng)新,突出政策導(dǎo)向

近幾年,新區(qū)管委會多次調(diào)整完善對IC設(shè)計(jì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的扶持力度(從科技18條到55條),對IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起了很大的作用,根據(jù)世界IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展新態(tài)勢、新動向,結(jié)合新區(qū)IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展計(jì)劃,在2009年新區(qū)科技55條及其它成功踐行政策策略基礎(chǔ)上,建議增加如下舉措:

1、在投融資方面,成立新區(qū)以IC設(shè)計(jì)為主的專業(yè)投資公司,參考硅谷等地成熟理念和方法,通過引進(jìn)和培養(yǎng)打造一支專業(yè)團(tuán)隊(duì),管理新區(qū)已投資的IC設(shè)計(jì)公司,成立每年不少于5000萬元的重組基金,在國家IC設(shè)計(jì)基地等配合下,通過資本手段,移接硅谷、新竹、筑波等世界最前沿IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,推進(jìn)新區(qū)IC設(shè)計(jì)公司改造升級,進(jìn)軍中國乃至世界前列。

2、政策扶持范圍方面,從IC設(shè)計(jì)擴(kuò)大到IC全產(chǎn)業(yè)鏈(掩模、制造、封裝、測試等),包括設(shè)備或材料、配件供應(yīng)商的辦事處或技術(shù)服務(wù)中心等。

3、在提升產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)度方面,對IC設(shè)計(jì)企業(yè)在新區(qū)內(nèi)配套企業(yè)加工(掩模、制造、封裝、測試)的,其繳納的增值稅新區(qū)留成部分進(jìn)行補(bǔ)貼。

4、在高級人才引進(jìn)方面,將2009年55條科技政策中關(guān)于補(bǔ)貼企業(yè)高級技術(shù)和管理人才獵頭費(fèi)用條款擴(kuò)大到IC企業(yè)。

大規(guī)模集成電路范文第2篇

現(xiàn)在家家戶戶都有幾件專用集成電路制作的小電器，如簡單計(jì)算器、袖珍電子游戲機(jī)、液晶數(shù)字電子鐘表、語音報(bào)時(shí)鐘、語音定時(shí)器等等。其售價(jià)不高銷量不錯，但一出故障就沒處可修，只得拋棄。其實(shí)這類小電器很容易維修，且不需要專門技術(shù)。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要是一片軟包裝大規(guī)模集成電路，相當(dāng)于一個小電腦完成了全部電路功能，接個液晶顯示屏、發(fā)音元件、操作開關(guān)和電池就夠了。只要有些動手能力和最基本的電氣知識就能勝任。

大規(guī)模集成電路和液晶只要沒有機(jī)械損傷一般很少出故障。故維修重點(diǎn)都在元件的檢側(cè)。（圖略）液晶發(fā)花、碎裂或集成電路漏電擊穿就沒法修復(fù)了。若印刷板腐蝕過重或制作工藝不良，日久會出現(xiàn)斷線，上述各種故障都可能出現(xiàn)，沒有列在表中。具體維修時(shí)還有幾點(diǎn)技術(shù)要掌握。

如何拆開機(jī)盒對初學(xué)者來說這一步并不輕松，常常不知從何下手。魯莽行事?lián)p壞外殼，會使整機(jī)報(bào)廢。首先卸下后蓋的所有螺絲，有的機(jī)子電池倉和銘牌里面都可能有螺絲，不要硬撬。然后，用指甲沿面板和后蓋的縫用力往外扳。感覺很緊扳不開時(shí)，可用一把寬頭螺絲刀，用透明膠帶把刀口包住(以免撬傷盒邊)塞入縫中撬。并不斷移動地方，尋找薄弱點(diǎn)。這類塑料盒邊一般都有倒扣(有的機(jī)子無后蓋螺絲，完全靠倒扣緊固（圖略）。拆印刷線路板也有竅門。有些用自攻螺絲的，塑料螺紋被損壞，印刷板也會上不緊。這時(shí)可往螺紋孔中擠點(diǎn)環(huán)氧樹醋膠，在將干未千時(shí)把螺絲旋入，干透后再擰緊。有的直接靠機(jī)殼本身的塑料柱燙壓，可用干凈電烙鐵把燙開的塑料往中心趕，直到露出印刷板安裝孔，重新安排時(shí)再把塑料燙開即可。

檢修導(dǎo)電橡膠擦洗干凈的導(dǎo)電橡膠，用萬用表高阻檔測量，輕輕觸及橡膠表面約有幾十千歐電阻，用力壓下電阻變小即屬正常.若用力壓下才有幾百千歐電阻則已磨損，最好及時(shí)換掉。完全不通導(dǎo)電橡膠已不能用，必須更新?？捎秒p面膠把香煙金屬紙貼在原橡膠導(dǎo)電層處應(yīng)急。

印劇板線斷裂的檢查和修復(fù)印刷板線的斷裂較難檢測，有的用放大鏡能看到裂縫，但一般都需用萬用表順故陳現(xiàn)象有關(guān)元件逐一測量。檢測時(shí)需把印刷板稍稍彎曲一下試試，但千萬不能太用力，以免造成新的故障。找到斷裂處后，可從多股導(dǎo)線中拆出一股細(xì)銅絲，接在斷裂處再用焊錫焊好.印刷板還有一種毛病—金屬化孔不通。雙面印刷板，正面線與反面線是通過金屬化孔連接的，工藝要求高，加工不良日久即會不通。這時(shí)用表筆尖往孔中一壓，或許即可正常，但不能持久。應(yīng)用一股細(xì)銅絲串入，再在兩面焊好。使用烙鐵一定要注意不能漏電以免擊穿大規(guī)模集成電路，為安全起見可拔下插頭后再焊。

大規(guī)模集成電路范文第3篇

2、可靠性高，使用環(huán)境要求低。由于微機(jī)采用大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，系統(tǒng)內(nèi)使用的器件數(shù)量減少，器件，部件之間的連線以及接入件數(shù)目也相應(yīng)地減少，而且MOS電路本身工作所需的功耗也很低，所以微機(jī)的可靠性大大提高，進(jìn)而降低了對使用環(huán)境的要求。

3、體積小，質(zhì)量輕，功耗低。由于微機(jī)中廣泛采用了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路，從而使微機(jī)的體積大大縮小。

4、適應(yīng)性強(qiáng)。從系統(tǒng)軟件到應(yīng)用軟件可方便地構(gòu)成不同規(guī)模的微機(jī)系統(tǒng)，從而使微機(jī)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性。

大規(guī)模集成電路范文第4篇

在設(shè)備小型化、低功耗設(shè)計(jì)方面，低頻部分，盡量選擇標(biāo)準(zhǔn)化、低功耗、表貼封裝、溫度范圍廣的大規(guī)模集成電路，優(yōu)化和簡化各種電路設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，減小電流消耗；高頻部分，發(fā)信單元采用射頻調(diào)制集成電路由基帶信號直接變到射頻信號，收信單元采用鏡像抑制混頻器，直接變到中頻信號，射頻濾波器均采用MEMS濾波器。對于3GHz以下電路均使用射頻芯片，3GHz以上使用多芯片組裝技術(shù)。多芯片組裝(Multi-ChipModule,MCM)是將多個大規(guī)模集成電路LSI超大規(guī)模集成電路VLSI的裸芯片高密度地貼裝互連在多層布線的印刷電路板[3],多層陶瓷(厚膜)基板或薄膜多層布線的基板上(硅、陶瓷或金屬基)，然后再整體封裝起來構(gòu)成能完成多功能、高性能的電子部件、整機(jī)、子系統(tǒng)乃至系統(tǒng)所需功能的一種新型微電子組件。近年來，MCM受到各經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)國家高度重視并千方百計(jì)加速發(fā)展，主要在于它有一系列優(yōu)點(diǎn)，既提高了密度，又縮短了芯片的互連間距，致使電路性能得以提高。與單芯片封裝相比，MCM具有更高的封裝密度，可更好地滿足電子系統(tǒng)小型化的需要。微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)是在半導(dǎo)體上制作微帶電路[4]，實(shí)現(xiàn)射頻開關(guān)、功分器、電容和電感等無源器件，插損小、頻帶寬。由于在同一平臺裝載多個信道模塊，其整體空間狹小，安裝設(shè)備復(fù)雜繁多，且頻段集中，相互間干擾非常嚴(yán)重，通信載體與升空通信平臺要進(jìn)行一體化設(shè)計(jì)，包括安裝、供電、載重等，尤其要進(jìn)行電磁兼容性設(shè)計(jì)[5]，使系統(tǒng)在工作時(shí)不產(chǎn)生超標(biāo)的電磁干擾，避免對其它設(shè)備或系統(tǒng)造成干擾，也避免其它設(shè)備對本系統(tǒng)造成干擾，否則系統(tǒng)將無法工作。影響系統(tǒng)內(nèi)的電磁兼容性的主要因素是禍合。禍合方式有導(dǎo)線間的電感、電容、電場及磁場禍合，還有系統(tǒng)內(nèi)公共阻抗禍合及天線與天線之間的禍合。另外，本系統(tǒng)除了在平臺上安裝了交換模塊和轉(zhuǎn)發(fā)模塊外，還安裝了天線。當(dāng)平臺表面是金屬材料時(shí)，表面受電磁波的照射時(shí)就會產(chǎn)生感應(yīng)和二次輻射，從而改變天線的收發(fā)電磁特性，并進(jìn)一步影響電子設(shè)備的各項(xiàng)性能指標(biāo)，嚴(yán)重時(shí)可能會使其無法正常工作。通過采用多層電路板、射頻屏蔽、EMC電磁軟件仿真等技術(shù)，并且各個模塊之間的信號線和電源線通過母板連接，在有限的空間，合理設(shè)計(jì)，合理優(yōu)化天線的分布位置，降低和消除人為的和自然的電磁干擾，提高設(shè)備和系統(tǒng)的抗電磁干擾能力，保證設(shè)備和系統(tǒng)功能的正常工作。

采用基帶處理平臺，實(shí)現(xiàn)多種傳輸體制、多種速率的有效傳輸采用模擬器件進(jìn)行調(diào)制解調(diào)器設(shè)計(jì)，幾乎不可能實(shí)現(xiàn)多速率和多制式的兼容，更不能根據(jù)用戶提供的波形進(jìn)行現(xiàn)場配置。采用軟件化設(shè)計(jì)的調(diào)制解調(diào)器，將整個基帶處理部分通過全數(shù)字方法實(shí)現(xiàn)，能使收發(fā)濾波器幾乎理想匹配，提高系統(tǒng)性能。軟件化調(diào)制解調(diào)器適合多種信道限帶傳輸要求，具有高的雜散抑制比，成形濾波器滾降系數(shù)可任意設(shè)置，支持連續(xù)和突發(fā)等多種模式等優(yōu)點(diǎn)，具有通用化、綜合化、智能化等特點(diǎn)。多制式調(diào)制解調(diào)器為了兼容多速率和多制式，其基帶處理部分采用FPGA為硬件平臺，通過計(jì)算機(jī)編程仿真來實(shí)現(xiàn)完成其功能。對于調(diào)制器，由于要兼容多種速率，因此采用任意時(shí)鐘來產(chǎn)生FPGA的工作時(shí)鐘。對于解調(diào)器，中頻信號經(jīng)帶通濾波、放大處理，經(jīng)變頻后送入A/D，將模擬信號變換為數(shù)字信號送入FPGA，F(xiàn)PGA完成數(shù)字解調(diào)，為了兼容多種速率，整個解調(diào)采用同步采樣技術(shù)，利用DDS來完成時(shí)鐘提取[6]。其過程是利用定時(shí)誤差提取算法來提取定時(shí)誤差，經(jīng)數(shù)字濾波后，同DDS的頻率控制字一同相加，去調(diào)整DDS的相位字，DDS輸出的信號直接去控制A/D采樣時(shí)鐘，從而使A/D的采樣頻率同信息速率完全同步。目前FPGA的規(guī)模越來越大。在一塊FPGA上可以集成更多的功能，只需要增大FPGA的規(guī)模，而不會影響處理速度和其他的性能。相反將更多的功能集成到一個芯片中，可減小體積，減小功耗，電磁兼容性增強(qiáng)，使電路工作更加穩(wěn)定。功能的集成不是簡單的邏輯相加，它增加了各單元電路間接口的靈活性，進(jìn)而使各單元的設(shè)計(jì)更加的靈活，甚至打破原有器件和電路的設(shè)計(jì)局限，以一個全新的方式、方法進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。FPGA編譯軟件功能的增強(qiáng)，使其程序設(shè)計(jì)越來越可以按照高級語言的方式進(jìn)行；同時(shí)可以對程序進(jìn)行調(diào)試、仿真，在程序編制階段就可以發(fā)現(xiàn)并解決其中的錯誤和不足；在FPGA使用中，可以設(shè)置觀察信號，隨時(shí)對其軟件的運(yùn)行進(jìn)行監(jiān)測；對于日后發(fā)現(xiàn)程序錯誤和缺陷，可以在軟件平臺上更改完成后，通過對FPGA程序存儲器更新實(shí)現(xiàn)對程序的升級和維護(hù)。至此，F(xiàn)PGA的應(yīng)用已不再是對以前電路的數(shù)字化，而是具備了軟件的種種特征，成為軟件無線電的一種實(shí)現(xiàn)形式。

空中中繼通信系統(tǒng)是一種基于軟件無線電的多工作頻段，多信道共用的硬件平臺?？罩修D(zhuǎn)發(fā)設(shè)備布置機(jī)動靈活、操作快速簡便、開通迅速，并且能夠克服由距離、地形和人為妨礙造成的傳統(tǒng)地面視距局限，它成為解決當(dāng)前復(fù)雜地形通信瓶頸問題的一種有效手段，在未來的通信中發(fā)揮重要作用。

作者：殷素杰 王迎棟 趙彥芬 單位：中國電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所

大規(guī)模集成電路范文第5篇

關(guān)鍵詞：數(shù)顯表 數(shù)字信號處理 高速測角

中圖分類號：TH 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1007-9416(2012)01-0059-02

圓感應(yīng)同步器和數(shù)顯表是經(jīng)緯儀測角的核心部件，提供經(jīng)緯儀指向的方位和俯仰角度值。目前國內(nèi)一般數(shù)顯表靜態(tài)精度很高，但是動態(tài)精度較低，無法滿足快速目標(biāo)的測量要求，因此需設(shè)計(jì)一種新型高速數(shù)顯表。這種新型數(shù)顯表用于高速、高精度動態(tài)檢測角度位移，它采用定尺激磁鑒相方式，以圓感應(yīng)同步器為傳感元件，以大規(guī)模集成電路為核心，具有體積小、速度快、精度高、抗干擾能力強(qiáng)、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)。

1、數(shù)顯表工作原理

數(shù)顯表采用定尺激磁鑒相方式，原理如圖1所示。

定尺激磁有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)激磁信號經(jīng)功率放大后直接送到定尺，沒有中間環(huán)節(jié)，因此激磁功率較大，便于信號處理；

(2)采用定尺激磁，可以使滑尺處在均勻磁場中，感應(yīng)信號與位置的函數(shù)關(guān)系更接近于正弦函數(shù)，失真度小，有利于提高細(xì)分精度；

(3)由于滑尺小，易屏蔽，可提高抗干擾能力；

(4)微弱的感應(yīng)信號從滑尺感應(yīng)出來，阻抗小，易匹配。

2、系統(tǒng)電路分析

我們采用大規(guī)模集成電路AD2S80（RDC）作為數(shù)字信號處理芯片。它是跟蹤式單片集成電路，是ANALOG DEVICES公司新一代RDC。它可用于旋轉(zhuǎn)變壓器、感應(yīng)同步器的數(shù)字轉(zhuǎn)換，由于它將感應(yīng)同步器的信號轉(zhuǎn)換為自然二進(jìn)制數(shù)是采用一種比率式跟蹤方式，輸出數(shù)字角度只與輸入的正弦和余弦信號的比值有關(guān)，而與它的絕對值無關(guān)，因此具有較高的噪聲抑制能力，減少由于從感應(yīng)同步器經(jīng)遠(yuǎn)距離傳輸帶來的誤差。

同時(shí)使用EPROM譯碼，LED數(shù)碼顯示出角位移量。系統(tǒng)采用總體開環(huán)，數(shù)字信號處理單元由AD2S80及器件構(gòu)成，它完成正余弦函數(shù)變化的角度信號。AD2S80的分辨率和動態(tài)性能可任意選擇，可供選擇的分辨率為10、12、14、16bit，可通過SC1和SC2的輸入邏輯電平來選擇。我們根據(jù)技術(shù)要求選擇12bit，它的轉(zhuǎn)換器跟蹤速度上限取決于集成電路內(nèi)壓控振蕩器輸出頻率的最高上限，對于AD2S80它的最高上限頻率為:

跟蹤速度上限可由下式計(jì)算：

跟蹤速度上限=（）(理論值)

式中：（是輸出分辨率），對于12位，。

根據(jù)以往工作經(jīng)驗(yàn)，數(shù)顯表實(shí)際跟蹤速度范圍為：0～180°/S，可以滿足跟蹤速度指標(biāo)要求。

數(shù)顯表電路原理如圖2所示，主要由以下部分組成：

2.1 振蕩電路

對振蕩電路我們采用了一個場效應(yīng)管來控制電路增益的振蕩電路，它波形失真小，電路中差分對管夠成的檢波放大電路給壓控電阻提供與振幅有關(guān)的控制電壓，以實(shí)現(xiàn)自動穩(wěn)幅功能，輸出振幅的穩(wěn)定性可達(dá)到0.1%，輸出振幅的調(diào)節(jié)率為100:1，溫度系統(tǒng)1mV/℃。

2.2 電壓跟隨器及功率驅(qū)動電路

由于圓感應(yīng)同步器轉(zhuǎn)子的電阻很小，大約只有幾歐姆左右，所以要求電路具有較強(qiáng)的電流驅(qū)動能力，而電壓不能過高的功放電路。因此我們采用美國NS公司推出的LM2030集成芯片，該芯片失真小，輸出功率大，工作穩(wěn)定可靠，內(nèi)部保護(hù)完善，電路元件少。電阻和電容采用金屬膜電阻和CBB電容。在LM2030集成芯片上加有足夠的散熱片。否則溫度升高使LM2030芯片過熱保護(hù)電路工作，從而使LM2030芯片關(guān)斷。為保證前級振蕩電路的穩(wěn)定工作，而不使輸出脈沖的相位和波形失真，電路的設(shè)計(jì)采用了電路跟隨器與功放電路進(jìn)行隔離，以提高工作的穩(wěn)定性和可靠性。

2.3 前置放大電路

由于感應(yīng)同步器幅相相交換輸出為毫伏級，因此產(chǎn)生的感應(yīng)信號必須通過前置放大千倍左右，才能進(jìn)行幅相測量，并通過電纜送入A/D轉(zhuǎn)換電路中。放大會導(dǎo)致誤差，因此要求放大器的放大倍數(shù)要穩(wěn)定，波形失真要小，同時(shí)相移也要穩(wěn)定，放大器應(yīng)盡量對稱。由于前置放大器輸入信號小，放大倍數(shù)比較高，所以必須放在屏蔽盒內(nèi)，屏蔽盒裝在經(jīng)緯儀內(nèi)，并有良好的接地。放大器采用同相輸入方式，因?yàn)楦袘?yīng)同步器輸出為電壓信號，同相輸入放大輸入阻抗高，有利于信號放大。同時(shí)采用變壓耦合器升壓后送入運(yùn)放，變壓耦合器的優(yōu)點(diǎn)是：易于實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，沒有溫漂現(xiàn)象，并且有選頻作用。

2.4 相位補(bǔ)償電路

感應(yīng)信號通過反相放大后，為發(fā)調(diào)整由于整個電路帶來的附加相移，在放大器后加一級相位補(bǔ)償電路，進(jìn)行相位補(bǔ)償。該電路利用運(yùn)算放大器的差動輸入在處產(chǎn)生90°相移，如果輸入頻率在0～∞范圍內(nèi)變化，相位便會在180°～0°之間變化，若以90°相移的頻率為中心，頻率偏離時(shí)其相角為：

為了獲得任意相角，選擇適當(dāng)電容量，并使

2.5 計(jì)數(shù)、譯碼、顯示電路

用DIR作為加減計(jì)數(shù)控制，對上面的RIPPLEC LOCK進(jìn)行計(jì)數(shù)，就可以完成二倍節(jié)距的計(jì)數(shù)，信號處理電路和計(jì)數(shù)電路輸出的結(jié)果為二進(jìn)制形式，將二進(jìn)制數(shù)顯示為度、分、秒的形式。若采用邏輯電路進(jìn)行譯碼，則電路較為復(fù)雜，我們采用了EPROM譯碼方式，每片有8位數(shù)據(jù)，可產(chǎn)生24位BCD碼，輸出的數(shù)字量通過數(shù)碼驅(qū)動電路驅(qū)動LED顯示，共顯示7位數(shù)據(jù)。根據(jù)電路的特點(diǎn)，用2片EPROM（2764）就可完成分、秒的譯碼，度的譯碼是采用VHDL硬件描述語言進(jìn)行集成MAX（EPM7128SLC84）芯片編程。加減計(jì)數(shù)和譯碼程序略。

2.6 A/D轉(zhuǎn)換集成電路

A/D轉(zhuǎn)換集成電路芯片AD2S80是美國AD的模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，通過三態(tài)輸出選擇并行的二進(jìn)制碼，能夠較好地滿足圓感應(yīng)同步器數(shù)顯表對角位移檢測精度的要求。

3、結(jié)語

(1)跟蹤速度快。系統(tǒng)采用總體開環(huán)，數(shù)字信號處理單元由AD2S80及器件構(gòu)成，它完成正余弦函數(shù)變化的角度信號。跟蹤速度上限可達(dá)268（）。

(2)抗干擾能力強(qiáng)。在數(shù)字轉(zhuǎn)換器（RDC）內(nèi)部采用閉環(huán)伺服跟蹤，輸出數(shù)字角與輸入的正弦余弦信號的比值有關(guān)，而與它的絕對值大小無關(guān)。因此具有較高的噪聲抑制能力，以減少遠(yuǎn)距離長線傳輸帶來的誤差。

我們對數(shù)顯表作了新的設(shè)計(jì)，采用大規(guī)模單片集成電路 AD2S80芯片，簡化了電路，提高了可靠性，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

參考文獻(xiàn)

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