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半導體光子學與技術雜志 省級期刊

主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部  主辦單位:重慶光電技術研究所

季刊  審稿周期:1個月內(nèi)  

《半導體光子學與技術》由劉俊剛擔任主編,創(chuàng)刊于1995年,由信息產(chǎn)業(yè)部主管、重慶光電技術研究所主辦的一本科技領域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等,力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態(tài)。

  • 50-1093/TN 國內(nèi)刊號
  • 1007-0206 國際刊號
  • 1995 創(chuàng)刊時間

半導體光子學與技術期刊信息

  • 出版語言:英語
  • 創(chuàng)刊時間:1995年
  • 國際刊號:1007-0206
  • 曾用名:半導體光子學與技術(英文版)
  • 紙張開本:B5
  • 國內(nèi)刊號:50-1093/TN
  • 出版地區(qū):重慶
  • 發(fā)行周期:季刊

半導體光子學與技術期刊榮譽

半導體光子學與技術投稿須知

1、基本要求來稿要求題材新穎、內(nèi)容真實、論點明確、層次清楚、數(shù)據(jù)可靠、文句通順。文章一般不超過5000字。投稿請寄1份打印稿,同時推薦大家通過電子郵件形式投稿。

2、文題文題要準確簡明地反映文章內(nèi)容,一般不宜超過20個字,作者姓名排在文題下。

3、作者與單位文稿作者署名人數(shù)一般不超過5人,作者單位不超過3個。第一作者須附簡介,包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學歷、職稱、職務;其它作者附作者單位、地址和郵編。

4、摘要和關鍵詞所有論文均要求有中文摘要和關鍵詞,摘要用第三人稱撰寫,分目的、方法、結果及結論四部分,完整準確概括文章的實質(zhì)性內(nèi)容,以150字左右為宜,關鍵詞一般3~6個。

5、標題層次一級標題用“一、二、……”來標識,二級標題用“(一)、(二)、……”來標識,三級標題用“1.2.”來標識,四級標題用“(1)、(2)”來標識。一般不宜超過4層。標題行和每段正文首行均空二格。各級標題末尾均不加標點。

6、計量單位、數(shù)字、符號文稿必須使用法定的計量單位符號。

7、參考文獻限為作者親自閱讀、公開發(fā)表過的文獻,只選主要的列入,采用順序編碼制著錄,按其文中出現(xiàn)的先后順序用阿拉伯數(shù)字編號,列于文末,并依次將各編號外加方括號置于文中引用處的右上角。書寫格式為:作者.文題.刊名年份;年(期):起始頁.網(wǎng)上參考材料序號.作者.文題網(wǎng)址(至子--欄目).上傳年月。

8、為保證本刊的權威性,杜絕任何形式的抄襲稿。稿件文責由作者自負,編輯部有權作必要的修改。文稿在3個月內(nèi)未收到退修或錄用通知,作者可自行處理,另投他刊。未被錄用的稿件一般不退稿,請自留底稿。

半導體光子學與技術編輯部聯(lián)系方式

地址:重慶南坪花園路14號44所(南坪2514信箱)

郵編:400060

主編:劉俊剛

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