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Ieee Transactions On Electron Devices SCIE

國(guó)際簡(jiǎn)稱：IEEE T ELECTRON DEV 參考譯名：IEEE Transactions On Electron Devices

主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣非預(yù)警期刊審稿周期：約4.7個(gè)月

《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國(guó)際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評(píng)論文章和綜述文章，及時(shí)報(bào)道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預(yù)警名單。該期刊享有很高的科學(xué)聲譽(yù)，影響因子不斷增加，發(fā)行量也同樣高。

2區(qū) 中科院分區(qū)
Q2 JCR分區(qū)
1084 年發(fā)文量
2.9 IF影響因子
未開放 是否OA
165 H-index
1954 創(chuàng)刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

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Ieee Transactions On Electron Devices期刊信息

ISSN：0018-9383
出版語言：English
是否OA：未開放
E-ISSN：1557-9646
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否預(yù)警：否
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時(shí)間：1954
開源占比：0.0674
Gold OA文章占比：6.38%
OA被引用占比：0.0017...
出版國(guó)人文章占比：0.22
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：100.00%

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

5.8

0.785

1.223

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個(gè)指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計(jì)算依據(jù)是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計(jì)算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對(duì)2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量注：文獻(xiàn)類型包括：文章、評(píng)論、會(huì)議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Ieee Transactions On Electron Devices中科院評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級(jí)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)

中科院 2022年12月升級(jí)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級(jí)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月升級(jí)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級(jí)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
是	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	2區(qū) 2區(qū)

Ieee Transactions On Electron Devices JCR評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

Ieee Transactions On Electron Devices歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

影響因子

中科院分區(qū)

Ieee Transactions On Electron Devices中國(guó)學(xué)者發(fā)文選摘

1、Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity
Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151
2、Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs
Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718
3、Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering
Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482
4、Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs
Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498
5、A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability
Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481
6、A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity
Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380
7、Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress
Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645
8、Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel
Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325

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