Ieee Electron Device Letters SCIE

國際簡稱：IEEE ELECTR DEVICE L 參考譯名：IEEE 電子器件字母

主要研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣非預警期刊審稿周期：約1.3個月

《IEEE 電子器件字母》(Ieee Electron Device Letters)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術(shù)-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實踐和應用學科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進該學科領(lǐng)域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。該期刊享有很高的科學聲譽，影響因子不斷增加，發(fā)行量也同樣高。

2區(qū) 中科院分區(qū)
Q2 JCR分區(qū)
477 年發(fā)文量
4.1 IF影響因子
未開放 是否OA
135 H-index
1980 創(chuàng)刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

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Ieee Electron Device Letters期刊信息

ISSN：0741-3106
出版語言：English
是否OA：未開放
E-ISSN：1558-0563
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否預警：否
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時間：1980
開源占比：0.057
Gold OA文章占比：4.62%
OA被引用占比：0
出版國人文章占比：0.35
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：100.00%

Ieee Electron Device Letters CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

8.2

1.25

1.5

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻數(shù)量注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Ieee Electron Device Letters中科院評價數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院 2021年12月基礎版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

Ieee Electron Device Letters JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

Ieee Electron Device Letters歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計

影響因子

中科院分區(qū)

Ieee Electron Device Letters中國學者發(fā)文選摘

1、Development of a Cesium Vapor MEMS Cell for Differential Measurement of Microwave Electromagnetically Induced Transparency
Author: Zhu, Jingtong; Zhao, Rui; Li, Zhonghao; Hao, Desheng; Zu, Kaixuan; Shi, Yunbo; Tang, Jun; Liu, Jun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 132-135. DOI: 10.1109/LED.2022.3219922
2、Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes
Author: Zhang, Zhaohao; Zhang, Fan; Zhang, Yadong; Xu, Gaobo; Wu, Zhenhua; Zhang, Qingzhu; Li, Yongliang; Yin, Huaxiang; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 64-67. DOI: 10.1109/LED.2022.3223335
3、Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics
Author: Zhang, Tao; Wang, Xue; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhao, Xiaoli; Liu, Xiaoqian; Han, Xu; Tang, Qingxin; Liu, Yichun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 76-79. DOI: 10.1109/LED.2022.3221521
4、Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
Author: Yang, Huan; Zhou, Xiaoliang; Lu, Lei; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 68-71. DOI: 10.1109/LED.2022.3223080
5、An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps
Author: Wu, Yanlin; Wei, Jin; Wang, Maojun; Nuo, Muqin; Yang, Junjie; Lin, Wei; Zheng, Zheyang; Zhang, Li; Hua, Mengyuan; Yang, Xuelin; Hao, Yilong; Chen, Kevin J.; Shen, Bo

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 25-28. DOI: 10.1109/LED.2022.3222170
6、Excitation/Inhibition Balancing in 2D Synaptic Transistors With Minority-Carrier Charge Dynamics
Author: Wu, Rongqi; Liu, Xiaochi; Wang, Zhongwang; Jing, Yumei; Yuan, Yahua; Tang, Kui; Dai, Xianfu; Qiu, Aocheng; Jaiswal, Hemendra N.; Sun, Jia; Li, Huamin; Sun, Jian

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 156-159. DOI: 10.1109/LED.2022.3224471
7、2.69 kV/2.11 m Omega center dot cm(2) and Low Leakage p-GaN Stripe Array Gated Hybrid Anode Diodes With Low Turn-on Voltage
Author: Wei, Xing; Shen, Wenchao; Zhou, Xin; Tang, Wenbo; Ma, Yongjian; Chen, Tiwei; Wang, Dawei; Fu, Houqiang; Zhang, Xiaodong; Lin, Wenkui; Yu, Guohao; Cai, Yong; Zhang, Baoshun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 13-16. DOI: 10.1109/LED.2022.3220600
8、Low Temperature Cu-Cu Bonding Using an Intermediate Sacrificial Sn Layer
Author: Wang, Zilin; Shi, Yunfan; Wang, Zheyao

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 116-119. DOI: 10.1109/LED.2022.3221375