Nanoscale Research Letters SCIE

國際簡稱：NANOSCALE RES LETT 參考譯名：納米級研究快報

主要研究方向：工程技術(shù)-材料科學：綜合非預警期刊審稿周期：約48 days, to first decision for reviewed manuscripts only; 30 days, to first decision for all manuscripts; 103 days, from submission to acceptance; 22 days, from acceptance to publication 約2.7個月

《納米級研究快報》(Nanoscale Research Letters)是一本由Springer US出版的以工程技術(shù)-材料科學：綜合為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實踐和應(yīng)用學科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進該學科領(lǐng)域科學信息的快速交流。該期刊是一本開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。

3區(qū) 中科院分區(qū)
Q1 JCR分區(qū)
0 年發(fā)文量
5.5 IF影響因子
開放是否OA
81 H-index
2006 創(chuàng)刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

Nanoscale Research Letters (NRL) provides an interdisciplinary forum for communication of scientific and technological advances in the creation and use of objects at the nanometer scale. NRL is the first nanotechnology journal from a major publisher to be published with Open Access.

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Nanoscale Research Letters期刊信息

ISSN：1931-7573
出版語言：English
是否OA：開放
E-ISSN：1556-276X
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否預警：否
出版商：Springer US
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時間：2006
開源占比：0.9961
Gold OA文章占比：99.31%
OA被引用占比：1
出版國人文章占比：0.6
出版撤稿占比：0.0135...
研究類文章占比：0.00%

Nanoscale Research Letters CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

1.016

1.568

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q1	14 / 434	96%
大類：Physics and Astronomy 小類：General Materials Science	Q1	39 / 463	91%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻數(shù)量注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Nanoscale Research Letters中科院評價數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	材料科學	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	材料科學	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	材料科學	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術(shù)	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 4區(qū) 3區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	材料科學	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	材料科學	3區(qū)	MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

Nanoscale Research Letters JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	116 / 438	73.6%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q2	44 / 140	68.9%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q1	39 / 179	78.5%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	147 / 438	66.55%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q2	53 / 140	62.5%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	55 / 179	69.55%

Nanoscale Research Letters歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計

影響因子

中科院分區(qū)

Nanoscale Research Letters中國學者發(fā)文選摘

1、Enhanced Reliability of a-IGZO TFTs with a Reduced Feature Size and a Clean Etch-Stopper Layer Structure.
Author: Chung JM^1,², Wu F¹, Jeong SW³, Kim JH², Xiang Y⁴.

Journal: Nanoscale Res Lett. 2019 May 16;14(1):165. doi: 10.1186/s11671-019-3001-3.
2、Highly Sensitive and Stable SERS Substrate Fabricated by Co-sputtering and Atomic Layer Deposition.
Author: Yin G^1,², Bai S^1,², Tu X¹, Li Z^1,², Zhang Y^1,², Wang W³, Lu J⁴, He D^1,².

Journal: Nanoscale Res Lett. 2019 May 18;14(1):168. doi: 10.1186/s11671-019-2997-8.
3、Optical Performance of Top-Down Fabricated AlGaN Nanorod Arrays with Multi-Quantum Wells Embedded.
Author: Ge S¹, Dai J², Gao N¹, Lu S¹, Li P¹, Huang K³, Liu B⁴, Kang J¹, Zhang R^1,², Zheng Y².

Journal: Nanoscale Res Lett. 2019 May 21;14(1):170. doi: 10.1186/s11671-019-3003-1.