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Journal Of Crystal Growth SCIE

國際簡稱：J CRYST GROWTH 參考譯名：晶體生長雜志

主要研究方向：化學(xué)-晶體學(xué) 非預(yù)警期刊審稿周期：約2.6個(gè)月約10周

《晶體生長雜志》(Journal Of Crystal Growth)是一本由Elsevier出版的以化學(xué)-晶體學(xué)為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時(shí)報(bào)道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實(shí)踐和應(yīng)用學(xué)科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進(jìn)該學(xué)科領(lǐng)域科學(xué)信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預(yù)警名單。

4區(qū) 中科院分區(qū)
Q3 JCR分區(qū)
306 年發(fā)文量
1.7 IF影響因子
未開放 是否OA
136 H-index
1967 創(chuàng)刊年份
Biweekly 出版周期
Multi-Language 出版語言

The journal offers a common reference and publication source for workers engaged in research on the experimental and theoretical aspects of crystal growth and its applications, e.g. in devices. Experimental and theoretical contributions are published in the following fields: theory of nucleation and growth, molecular kinetics and transport phenomena, crystallization in viscous media such as polymers and glasses; crystal growth of metals, minerals, semiconductors, superconductors, magnetics, inorganic, organic and biological substances in bulk or as thin films; molecular beam epitaxy, chemical vapor deposition, growth of III-V and II-VI and other semiconductors; characterization of single crystals by physical and chemical methods; apparatus, instrumentation and techniques for crystal growth, and purification methods; multilayer heterostructures and their characterisation with an emphasis on crystal growth and epitaxial aspects of electronic materials. A special feature of the journal is the periodic inclusion of proceedings of symposia and conferences on relevant aspects of crystal growth.

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Journal Of Crystal Growth期刊信息

ISSN：0022-0248
出版語言：Multi-Language
是否OA：未開放
E-ISSN：1873-5002
出版地區(qū)：NETHERLANDS
是否預(yù)警：否
出版商：Elsevier
出版周期：Biweekly
創(chuàng)刊時(shí)間：1967
開源占比：0.0379
Gold OA文章占比：16.22%
OA被引用占比：0.0202...
出版國人文章占比：0.24
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：100.00%

Journal Of Crystal Growth CiteScore評價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

3.6

0.379

0.768

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics	Q2	205 / 434	52%
大類：Physics and Astronomy 小類：Inorganic Chemistry	Q2	40 / 79	50%
大類：Physics and Astronomy 小類：Materials Chemistry	Q3	162 / 317	49%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個(gè)指標(biāo)。當(dāng)年CiteScore 的計(jì)算依據(jù)是期刊最近4年（含計(jì)算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻(xiàn)數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計(jì)算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻(xiàn)數(shù)量注：文獻(xiàn)類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Journal Of Crystal Growth中科院評價(jià)數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	材料科學(xué)	4區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	材料科學(xué)	3區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	材料科學(xué)	3區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	物理	4區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	材料科學(xué)	3區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學(xué)科		小類學(xué)科
否	否	材料科學(xué)	3區(qū)	CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合	3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)

Journal Of Crystal Growth JCR評價(jià)數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	17 / 33	50%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	321 / 438	26.8%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	125 / 179	30.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	19 / 33	43.94%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	249 / 438	43.26%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	104 / 179	42.18%

Journal Of Crystal Growth歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

影響因子

中科院分區(qū)

Journal Of Crystal Growth中國學(xué)者發(fā)文選摘

1、Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 612, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127058
2、Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127029
3、Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 613, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127211
4、Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127035
5、Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127026
6、Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
7、Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127007
8、Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127046

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