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中國集成電路雜志 部級期刊

主管單位:中華人民共和國工業(yè)和信息化部  主辦單位:中國半導體行業(yè)協(xié)會

月刊  審稿周期:1個月內(nèi)  全年訂價:¥460.00

《中國集成電路》由王永文;魏少軍擔任主編,創(chuàng)刊于1994年,由中華人民共和國工業(yè)和信息化部主管、中國半導體行業(yè)協(xié)會主辦的一本電子領域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等,力求及時、準確、全面的反映該領域的政策、技術、應用市場及動態(tài)。

  • 11-5209/TN 國內(nèi)刊號
  • 1681-5289 國際刊號
  • 2329 發(fā)文量
  • 0.17 影響因子
  • 2128 總被引量
  • 1994 創(chuàng)刊時間

中國集成電路期刊信息

  • 出版語言:中文
  • 創(chuàng)刊時間:1994年
  • 國際刊號:1681-5289
  • 曾用名:集成電路設計
  • 紙張開本:A4
  • 國內(nèi)刊號:11-5209/TN
  • 出版地區(qū):北京
  • 發(fā)行周期:月刊

中國集成電路期刊榮譽

中國集成電路投稿須知

1、文稿應資料可靠、數(shù)據(jù)準確、具有創(chuàng)造性、科學性、實用性。應立論新穎、論據(jù)充分、數(shù)據(jù)可靠,文責自負(嚴禁抄襲),文字要精煉。

2、確保所投文章堅持正確的政治方向和思想方向,貫徹"雙百"方針和民族政策。若出現(xiàn)以上問題,由作者及其單位承擔一切責任。

3、文章要求在2000-2400字符,格式一般要包括:題目、作者及單位、郵編、內(nèi)容摘要、關鍵詞、正文、參考文獻等。文章標題字符要求在20字以內(nèi)。

4、文章中的圖表應具有典型性,盡量少而精,表格使用三線表;圖要使用黑線圖,繪出的線條要光滑、流暢、粗細均勻;計量單位請以近期國務院頒布的《中華人民共和國法定計量單位》為準,不得采用非法定計量單位。

5、為縮短刊出周期和減少錯誤,來稿一律使用word格式,并請詳細注明本人詳細聯(lián)系方式。

6、編輯部對來稿有刪修權,不同意刪修的稿件請在來稿中聲明。我刊同時被國內(nèi)多家學術期刊數(shù)據(jù)庫收錄,不同意收錄的稿件,請在來稿中聲明。

中國集成電路編輯部聯(lián)系方式

地址:北京市順義區(qū)仁和鎮(zhèn)順和花園一區(qū)15號樓二單元501室

郵編:101300

主編:王永文;魏少軍

中國集成電路發(fā)文選摘

  • 1、華虹宏力獲“2019年度中國IC設計成就獎之年度卓越表現(xiàn)芯片代工企業(yè)”殊榮

    作者:華虹宏力

  • 2、總投資50億人民幣,新華三集團投建芯片設計開發(fā)基地

    作者:新華三

  • 3、首款全國產(chǎn)固態(tài)硬盤控制芯片,讀寫速度500MB/s

    作者:國科微

  • 4、通富微電2018年營收同比增長11%,預估封測排名升至全球第6

    作者:通富微電

  • 5、紫光集團南方總部落戶廣州,存儲器版圖再下一城

    作者:紫光集團

  • 6、發(fā)力企業(yè)級SSD市場,紫光存儲新SSD產(chǎn)品采用紫光核心芯片技術

    作者:紫光存儲

  • 7、華為與四維圖新簽署合作框架協(xié)議,共探未來出行之路

    作者:華為

  • 8、士蘭微電子推出1350V RC-IGBT

    作者:士蘭微電子

  • 9、MACOM攜5G新品亮相EDICON China 2019

    作者:--

  • 10、集英特爾傲騰技術和英特爾QLC NAND技術為一體的固態(tài)硬盤全新上市

    作者:英特爾

中國集成電路期刊評價分析

年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)

中國集成電路期刊評價報告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
被引次數(shù) 124 166 194 186 191 196 170 233 250 330
影響因子 0.08 0.1 0.12 0.09 0.09 0.15 0.1 0.17 0.23 0.36
立即指數(shù) 0 0.01 0 0.03 0.01 0.02 0.06 0.06 0.1 0.09
發(fā)文量 184 226 207 199 198 211 193 140 180 162
被引半衰期 5 5.42 4.93 5.16 5.34 4.93 5.29 4.98 4.29 3.71
引用半衰期 6.19 5.5 6.4 6.71 5.19 6.73 5.15 5.21 7 4.47
期刊他引率 0.95 0.93 0.94 0.95 0.98 0.9 0.96 0.94 0.91 0.92
平均引文率 3.5 1.9 3.1 2.5 2.6 2.8 3.4 3.7 5.3 5.9

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