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1.1E-I網(wǎng)絡(luò)中的神經(jīng)元模型
本文中的興奮—抑制性網(wǎng)絡(luò)中的神經(jīng)元所采用的模型是由Ermentrout和Kopell在1998年提出的,由一維房室模型[20]簡化而來。在本文中E-cells代表興奮性錐體神經(jīng)元,I-cells代表抑制性中間神經(jīng)元。對于E-cells和I-cells模型來說其基本結(jié)構(gòu)相同,在沒有突觸電流的情況下,細(xì)胞膜電位遵循經(jīng)典的HH模型[21]的方程可以看出,離子電流由鈉電流、鉀電流和漏電流這三部分構(gòu)成,其中漏電流主要由氯離子形成。具有瞬態(tài)特性的鈉離子通道有一個激活變量m,用其穩(wěn)態(tài)函數(shù)m來代替,一個失活變量h;鉀離子通道包含一個激活變量n;extI代表外部刺激電流。其中,mmnn,,,為與膜電位有關(guān)的速率常數(shù),基于電壓鉗實驗所獲得的數(shù)據(jù),這些常數(shù)可以在不同鉗位電壓下經(jīng)曲線擬合得到。
1.2E-I網(wǎng)絡(luò)中的突觸模型及網(wǎng)絡(luò)連接
本節(jié)研究的網(wǎng)絡(luò)包含160EN個興奮性錐體神經(jīng)元(E-cells)和40IN個抑制性中間神經(jīng)元(I-cells)。網(wǎng)絡(luò)中的每個E-cell都接受所有I-cells的抑制性輸入,但是不接受其他任何E-cell的興奮性輸入;每個I-cell不僅接受所有E-cells的興奮性輸入,還接受來自其他I-cells的抑制性輸入。E-cells中的刺激電流均勻分布在區(qū)間12EEII上;類似的,I-cells的刺激電流均勻分布在區(qū)間12IIII上。除此之外,每個E-cell和I-cell都同樣受到隨機獨立的具有泊松分布特性的外部刺激,其頻率分布為PEf和PIf,當(dāng)突觸前神經(jīng)元產(chǎn)生放電時,所對應(yīng)的聯(lián)合突觸電導(dǎo)值瞬間就會被置為相應(yīng)的最大值EPSPEg和EPSPIg,隨后會以時間常數(shù)2EPSPms的速度進行指數(shù)衰減。網(wǎng)絡(luò)仿真所需的參數(shù)。網(wǎng)絡(luò)由EN個E-cells和IN個I-cells組成,突觸可以分為興奮性和抑制性突觸兩種類型。其中興奮性突觸形式如下:(/)()()EijEjgNStVV(4)設(shè)定0EV,如果神經(jīng)元j是興奮性神經(jīng)元,則設(shè)定EEgg;如果神經(jīng)元j是抑制性神經(jīng)元,則設(shè)定EIgg,下標(biāo)i代表所有的E-cells。突觸門控變量ijSS遵循式(6)的變化規(guī)律。對于興奮性突觸來說,0.2R,2D,preV代表突觸前神經(jīng)元的膜電位。抑制性突觸形式如下:IijIjgNStVV(5)設(shè)定80IV,如果神經(jīng)元是興奮性神經(jīng)元,則設(shè)定IEgg;如果神經(jīng)元是抑制性神經(jīng)元,則設(shè)定IIgg,下標(biāo)代表所有的I-cells。突觸門控變量同樣遵循式的變化規(guī)律。對于抑制性突觸來說,0.5R,10D。對于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)而言,網(wǎng)絡(luò)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在一定程度上也影響著神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)行為。
1.3電場作用下的神經(jīng)元模型
研究發(fā)現(xiàn),外電場E和與其產(chǎn)生的細(xì)胞膜去極化感應(yīng)電壓V之間的關(guān)系如下所示:EVdtdV(7)其中[25]代表極化長度,則代表了Maxwell-Wagner時間常數(shù),物理含義是電荷在細(xì)胞膜上累積的速度。根據(jù)式(7)所示,當(dāng)外電場為直流電場E時,其所對應(yīng)得去極化感應(yīng)電壓:VE(8)而當(dāng)外電場為交流電場E(t)(A)sin(t)時,其中A和分別代表幅值和角頻率,由其產(chǎn)生的感應(yīng)如下所示:21()sin()2cos()AtftV(9)由于很小,量級一般是1010,而頻率f處在極低頻范圍,這樣1,故式(9)可改寫為:()sin(t)AVt(10)為了研究方便,本文取極化長度1mm,即直流和交流外電場所引起的細(xì)胞膜去極化感應(yīng)電壓分別為其自身。綜上所述,暴露在外電場刺激下所產(chǎn)生的感應(yīng)電場V(t)可以看作是細(xì)胞膜電壓V的一個外加的擾動[27],由于細(xì)胞膜的介質(zhì)特性,膜兩側(cè)將在原來的基礎(chǔ)上疊加一個感應(yīng)的跨膜電壓分量V(t),把式(8)和(10)分別代入到膜電位方程就可以得到直流和交流外電場作用下的神經(jīng)元模型。
1.4網(wǎng)絡(luò)同步性測量
為了定量分析在感生電場作用下的網(wǎng)絡(luò)同步活動的一致性,采用了文獻中所采用的標(biāo)準(zhǔn)化互相關(guān)系數(shù)的方法。神經(jīng)元i和j之間放電活動的一致性可以由它們的放電序列之間的互相關(guān)系數(shù)算得。仿真時間T被分割成很小的時間窗t,那么兩個神經(jīng)元的放電序列就可以表示成為X(l)=0或1,Y(l)=0或1,l1,2,...P(/)TPt。在通常情況下取1tms,則神經(jīng)元和之間的互相關(guān)系數(shù)可由下式得出:PlPlPlijXlYlXlYlk111(11)因此,在求出任意一對神經(jīng)元之間的互相關(guān)系數(shù)的情況下,網(wǎng)絡(luò)的一致性系數(shù)k可以由下式得出:(1)2111NNkkNiNjiij(12)本文中微分方程的求解采用改進的歐拉法,積分步長dt0.01ms。神經(jīng)元膜電位的初值均勻分布在[-70,-60]之間,其他離子通道變量均設(shè)定在其穩(wěn)態(tài)值??紤]到初始狀態(tài)的因素,網(wǎng)絡(luò)的一致性的計算在前1000ms瞬態(tài)之后開始計算。
2交流電場作用下的網(wǎng)絡(luò)同步活動分析
2.1交流電場對網(wǎng)絡(luò)同步系數(shù)的影響
當(dāng)適應(yīng)性電流沒有引入到E-cells時,網(wǎng)絡(luò)的同步活動如(a)所示,其中I-cells以41Hz的頻率進行著同步放電活動;(b)給出了0.1Mg之后的網(wǎng)絡(luò)響應(yīng),可以發(fā)現(xiàn)適應(yīng)性電流極大地抑制了E-cells的放電活動,同時也擾亂了I-cells的同步活動,其平均放電頻率也由41Hz下降到了31Hz。在下面的研究中,我們更多的關(guān)注I-cells的同步活動。在(b)中的參數(shù)設(shè)定下,把外部交流電場引入到神經(jīng)元模型中,并研究其對網(wǎng)絡(luò)活動的影響,其中A代表的是電場幅值,代表電場的角頻率。給出了不同的電場參數(shù)下的I-cells的群體活動情況,其中(a),(b),(c),(d)中幅值和角頻率參數(shù)分別為A0.3,0.07,A2,0.09,A6.1,0.18和A9.2,0.23。從仿真結(jié)果來看,在一定的電場參數(shù)下,I-cells的放電活動由先前的非同步狀態(tài)又重新恢復(fù)到了同步活動狀態(tài),也可以說交流電場在一定程度上減弱了適應(yīng)性電流的負(fù)面作用。但是對于所有的交流電場幅值和頻率來說,是否都會起到積極地引導(dǎo)同步的作用,這還需要進一步的研究。從的對比看出,外部交流電場的確在一定程度上提高了I-cells網(wǎng)絡(luò)同步性。為了進一步研究電場參數(shù)對I-cells網(wǎng)絡(luò)活動的影響,設(shè)定電場幅值A(chǔ)的變化區(qū)間為,變化步長為0.1;的變化區(qū)間為[0.01,0.308],對應(yīng)于[5,154]Hz,變化步長0.002,對應(yīng)于1Hz。給出了和f的雙參數(shù)區(qū)域下I-cells的同步系數(shù)值。在電場強度固定的情況下,I-cells的同步系數(shù)K隨著電場頻率f的增大而逐漸減小;在電場頻率固定的情況下,I-cells的同步系數(shù)K隨著電場強度的增大而增大。在中的四條分界線(Line1,Line2,Line3,Line4)從的明暗程度上把整個參數(shù)空間分為I、II、III、IV這四大區(qū)域,其所對應(yīng)的同步系數(shù)K依次降低
2.2交流電場對網(wǎng)絡(luò)平均振蕩頻率的影響
在研究了電場參數(shù)對I-cells的同步系數(shù)的影響之后,進而轉(zhuǎn)向?qū)ζ淦骄烹婎l率f(I-cells)的研究,且A和f的變化形式和中的保持一致。對于平均頻率f(I-cells)的分析從兩個方面進行。第一個方面就是先把電場幅值固定在特定的幾個數(shù)值(0.5,1,3,5,7,9)研究平均頻率隨電場頻率f的變化趨勢。第二個方面就是把電場頻率固定在預(yù)設(shè)好的參數(shù)值,觀察隨電場幅值的變化趨勢,其中把電場頻率f分成了四組區(qū)間(5-35Hz,40-70Hz,75-105Hz,110-150Hz)。結(jié)果顯示,除最下面的兩條的曲線,其他四條曲線都有明顯的峰值和穩(wěn)態(tài)值,并且都隨著電場幅值的增大而增大;而與產(chǎn)生峰值所對應(yīng)的電場頻率也相應(yīng)的提高,這說明隨著電場強度的增大,要想得到更高的I-cells網(wǎng)絡(luò)f(I-cells)就必須相應(yīng)的增大電場的頻率。但是并不是隨著電場頻率的增大逐步增大,而在達到峰值之后,慢慢經(jīng)過衰減振蕩最終穩(wěn)定在一定的數(shù)值。從此結(jié)果我們可以看出當(dāng)電場強度一定的時候,I-cells的對外部電場頻率存在一定的選擇性。我們通過利用峰峰間期的平均值ISI(mean)來衡量神經(jīng)元的放電頻率。給出了電場幅值=3,7,9時的ISI(mean),可以看出隨著電場頻率的增大,ISI(mean)確實出現(xiàn)了最小值,說明在此時神經(jīng)元的放電頻率應(yīng)該是最高的。中三條曲線的最小值所對應(yīng)的電場頻率分別10Hz,23Hz,32Hz,雖然這和相應(yīng)數(shù)值不是完全吻合,這是因為I-cells中所有神經(jīng)元放電頻率的平均值,結(jié)果則是針對于網(wǎng)絡(luò)中特定的一個神經(jīng)元的頻率值,因此出現(xiàn)一定的數(shù)值誤差是在預(yù)料之中的。隨著電場頻率的逐步增大,對于單個神經(jīng)元來說其最高放電頻率所對應(yīng)的電場頻率值有逐步增大的趨勢,推及到整個I-cells網(wǎng)絡(luò)來說,也應(yīng)該會呈現(xiàn)出類似的態(tài)勢。對也具有一定的選擇性。在(b)和(c)的結(jié)果對應(yīng)著中間頻率的電場作用,在這一頻段內(nèi),的峰值現(xiàn)象隨著頻率的增大逐漸變得模糊化,并且在幅值較大的仿真區(qū)間內(nèi),增大電場頻率的大小對的影響并不是很明確。在(d)中,曲線的峰值現(xiàn)象基本消失,而且電場頻率的大小對的影響也逐漸明朗起來,對于仿真參數(shù)末端值來說,的大小反比于電場頻率的大小。針對于(a)中的峰值現(xiàn)象同樣可以用的分析方法進行解釋,這里不再做贅述。利用仿真結(jié)果,我們綜合分析了外部交流電場參數(shù)和對I-cells網(wǎng)絡(luò)平均頻率的作用,為了更直觀的視覺分析,給出了和雙參數(shù)區(qū)域下的f(I-cells)的統(tǒng)計圖。從圖中可以明顯看到亮白色區(qū)域出現(xiàn)在了外部電場的低頻段區(qū)域(10-40Hz)內(nèi),由此說明,低頻交流外電場能更為有效地提高I-cells網(wǎng)絡(luò)的頻率,這和Deans的研究結(jié)論有一定的相似之處,都發(fā)現(xiàn)了網(wǎng)絡(luò)振蕩頻率對外部交流電場的參數(shù)存在一定的選擇性,并且相對來說低頻電場對網(wǎng)絡(luò)的放電率的影響較大。再通過對比,我們可以發(fā)現(xiàn)與相對應(yīng)的區(qū)域內(nèi),網(wǎng)絡(luò)的同步系數(shù)統(tǒng)計圖呈現(xiàn)出白色,說明所對應(yīng)的網(wǎng)絡(luò)同步系數(shù)也是很高,因此可以通過外部電場參數(shù)的調(diào)節(jié),不僅可以使得I-cells網(wǎng)絡(luò)不僅具有較高的同步性,而且還引發(fā)其在(30-60Hz)的gamma頻段的網(wǎng)絡(luò)振蕩。研究表明在自閉癥和老年癡呆癥病人的研究中發(fā)現(xiàn)其腦部的gamma振蕩有明顯減弱的趨勢。本小節(jié)的研究結(jié)果或許對利用低頻交流電刺激來對上述神經(jīng)疾病提供一些理論指導(dǎo)。
作者:于凱王江鄧斌魏熙樂單位:天津大學(xué)